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기판;상기 기판 상면에 배치된 소스 및 드레인;상기 기판 상면에서 상기 소스 및 드레인 사이에 배치된 채널층;상기 기판 상면에 배치되며 상기 소스 및 드레인을 둘러싸며, 길이 방향에서 소스 및 드레인의 측부와 이격되도록 배치된 측벽 및 상기 측벽 상부를 연결하도록 상기 측벽의 상면에 배치되며 상기 길이 방향과 수직한 높이 방향에서 상기 소스, 드레인 및 채널층의 상부와 이격된 커버를 포함하는 지지부;상기 지지부의 커버의 하면에 배치되고, 상기 높이 방향에서 상기 소스, 드레인 및 채널층의 상부와 이격된 게이트;상기 소스, 드레인 및 채널층과 상기 게이트의 이격 공간에 배치된 공기층; 및상기 지지부의 커버의 상면에 배치되며 온도 변화에 따라 부피가 변하는 온도 반응 변형층; 을 포함하고,온도 증가 시 상기 온도 반응 변형층의 부피가 변하여, 상기 온도 반응 변형층과 상기 채널층 사이의 간격, 상기 커버와 상기 채널층 사이의 간격 및 상기 게이트와 상기 채널층 사이의 간격은 감소하고, 소스-드레인 전류는 증가하는 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 온도 반응 변형층은 폴리N아이소프로필아크릴아마이드(PNIPAM)인 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 온도 반응 변형층은 상기 지지부의 커버의 상부에 점착되며,상기 온도 반응 변형층이 온도 변화에 따라 부피가 변하면 상기 지지부의 커버의 형상이 변형되는 트랜지스터
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제3항에 있어서,온도 증가 시 상기 온도 반응 변형층은 부피가 감소하고,상기 지지부의 커버는 하부 방향으로 볼록한 만곡부를 형성하는 트랜지스터
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삭제
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제1항에 있어서,상기 온도 반응 변형층 상에 배치되고, 온도 변화에 따라 색상이 변하는 온도 반응성 변색층; 을 더 포함하는 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 지지부는 PDMS(polydimethylsiloxane)을 포함하고,상기 PDMS는 원료와 경화제가 혼합되어 형성되고,상기 원료와 상기 경화제의 비율은 20:1 내지 10:1 범위 내로 형성되는 트랜지스터
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제1항 내지 제4항, 제6항, 제7항 중 어느 한 항에 따른 트랜지스터를 포함하는 디스플레이
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