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다중 기준 저항 레벨을 적용하는 자기 저항 메모리 소자 및 이에 있어서 최적 기준 저항 레벨을 선택하는 방법

  • 기술번호 : KST2019021622
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 읽기 회로의 오프셋(Offset) 문제를 해결하여 오작동율을 감소시키는 다중 기준 저항 레벨을 적용하는 자기 저항 메모리 소자 및 이에 있어서 최적 기준 저항 레벨을 선택하는 방법이 개시된다. 상기 자기 저항 메모리 소자는 복수의 데이터 셀들을 포함하는 메모리 셀부 및 복수의 기준 저항들 및 상기 기준 저항들 사이를 연결하는 적어도 하나의 스위치를 가지는 기준 셀부를 포함한다. 여기서, 상기 기준 셀부는 상기 스위치의 스위칭을 통하여 다중 기준 저항 레벨들을 구현할 수 있는 회로 구조를 가지며, 상기 기준 저항 레벨들 중 선택된 최적 기준 저항 레벨을 기준으로 하여 상기 데이터 셀의 읽기 동작이 수행된다.
Int. CL G11C 11/16 (2006.01.01) H01L 43/08 (2006.01.01) G11C 29/00 (2006.01.01)
CPC G11C 11/1673(2013.01) G11C 11/1673(2013.01) G11C 11/1673(2013.01) G11C 11/1673(2013.01)
출원번호/일자 1020180051734 (2018.05.04)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2097204-0000 (2020.03.30)
공개번호/일자 10-2019-0127288 (2019.11.13) 문서열기
공고번호/일자 (20200403) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.05.04)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박상규 서울특별시 송파구
2 이지수 경기도 남양주시 의안로 ***, *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최관락 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
2 송인호 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2018-0443446-97
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0599659-54
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-1070265-49
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-1193795-21
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2019-1264937-62
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.12.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1264938-18
9 등록결정서
Decision to grant		 2020.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0119335-66
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수의 데이터 셀들을 포함하는 메모리 셀부; 및복수의 기준 저항들 및 상기 기준 저항들 사이를 연결하는 적어도 하나의 스위치를 가지는 기준 셀부를 포함하되,상기 기준 셀부는 상기 스위치의 스위칭을 통하여 다중 기준 저항 레벨들을 구현할 수 있는 회로 구조를 가지며, 상기 기준 저항 레벨들 중 선택된 특정 기준 저항 레벨을 기준으로 하여 상기 데이터 셀의 읽기 동작이 수행되고,상기 기준 저항 레벨들에 대하여 데이터 셀 오류 테스트를 수행한 결과 모든 기준 저항 레벨에 대하여 데이터 셀의 오작동이 있는 경우, 오작동이 발생한 데이터 셀의 숫자가 가장 적은 기준 저항 레벨들을 선택하고 상기 선택된 기준 저항 레벨들에서 최대 숫자의 오작동을 보인 데이터 셀을 리던던시 셀로 치환하거나 소거한 후 데이터 셀 오류 테스트를 수행하여 오작동하는 데이터 셀이 없는 기준 저항 레벨 중 하나를 특정 기준 저항 레벨로 선택하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 자기 저항 메모리 소자는 스핀주입형 자기 저항 메모리(STT-MRAM)이고, 상기 기준 저항은 자기접합터널(MTJ) 또는 poly-저항인 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 소자
3 3
제2항에 있어서, 상기 MTJ는 낮은 저항인 P 상태만 사용하며 높은 저항인 AP 상태를 사용하지 않는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 소자
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다중 기준 저항 레벨들을 구현하는 기준 셀부를 포함하는 자기 저항 메모리 소자에서 특정 기준 저항 레벨을 선택하는 방법에 있어서, 모든 기준 저항 레벨들에 대하여 메모리 셀부의 데이터 셀의 오류 테스트를 수행하는 단계;상기 테스트 결과 데이터 셀에 오작동이 없는 다중 기준 저항 레벨이 존재하지 않는 경우, 오작동 데이터 셀의 숫자가 최소인 기준 저항 레벨을 선택하는 단계;상기 선택된 기준 저항 레벨에 해당하는 불량셀을 치환하거나 소거하는 단계;상기 치환 또는 소거 후, 상기 모든 기준 저항 레벨에 대하여 상기 메모리 셀부의 데이터 셀의 오류 테스트를 다시 수행하는 단계; 및상기 다시 수행된 오류 테스트 결과 데이터 셀에 오작동이 없는 기준 저항 레벨 중 하나를 특정 기준 저항 레벨로 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 소자에서 특정 기준 저항 레벨 선택 방법
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제9항에서, 상기 자기 저항 메모리 소자는 스핀주입형 자기 저항 메모리(STT-MRAM)이고, 상기 다중 기준 저항 레벨은 복수의 자기접합터널들(MTJ) 및 상기 MTJ들 사이에 연결된 적어도 하나의 스위치를 통하여 구현되되,상기 MTJ는 낮은 저항인 P 상태만 사용하며 높은 저항인 AP 상태를 사용하지 않는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 소자에서 특정 기준 저항 레벨 선택 방법
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제9항에 있어서, 상기 데이터 셀에 오작동이 없는 기준 저항 레벨들 중 중위값이 상기 특정 기준 저항 레벨로 선택되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 소자에서 특정 기준 저항 레벨 선택 방법
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1 산업통상자원부 한국산업기술평가관리원 전자정보디바이스산업원천기술개발(RCMS) 10nm급 STT-MRAM의 MTJ 신뢰성 모델링 및 신뢰성 불량에 강인한 회로 기술 연구