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황화주석 박막의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2019021757
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기저막 상에 상대적으로 저온에서 이황화주석 시드층을 형성하는 제 1 단계 및 상기 이황화주석 시드층 상에 상대적으로 고온에서 이황화주석 메인층을 형성하는 제 2 단계를 포함하는, 황화주석 박막의 형성 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/285 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01)
출원번호/일자 1020180058386 (2018.05.23)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0133443 (2019.12.03) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.05.23)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성근 서울특별시 성북구
2 편정준 서울특별시 성북구
3 김상태 서울특별시 성북구
4 송현철 서울특별시 성북구
5 백승협 서울특별시 성북구
6 김진상 서울특별시 성북구
7 최지원 서울특별시 성북구
8 강종윤 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0505366-75
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.12.21 수리 (Accepted) 9-1-2018-0071737-51
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0347849-34
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2019-0716283-12
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.08.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0810259-09
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2019-0810257-18
8 등록결정서
Decision to grant		 2019.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0928537-11
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기저막 상에 상대적으로 저온에서 이황화주석 시드층을 형성하는 제 1 단계; 및상기 이황화주석 시드층 상에 상대적으로 고온에서 이황화주석 메인층을 형성하는 제 2 단계; 를 포함하되, 상기 제 1 단계에서 상기 상대적으로 저온은 90℃ 내지 200℃이며,상기 제 2 단계에서 상기 상대적으로 고온은 200℃ 내지 300℃인,황화주석 박막의 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계에서 상기 이황화주석 시드층은 비정질이며, 상기 제 2 단계에서 상기 이황화주석 시드층은 결정화되는 것을 특징으로 하는, 황화주석 박막의 형성 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계는 플라즈마 여기 원자층 증착법 (PEALD)을 이용하여 이황화주석 시드층을 형성하는 단계를 포함하는, 황화주석 박막의 형성 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 플라즈마 여기 원자층 증착법은,상기 기저막 상에 주석 원료를 주입하는 제 1-1 단계; 상기 주석 원료를 퍼지하는 제 1-2 단계;플라즈마로 여기된 황 원료를 주입하는 제 1-3 단계; 및상기 플라즈마로 여기된 황 원료를 퍼지하는 제 1-4 단계;를 포함하는, 황화주석 박막의 형성 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 기저막은 상기 이황화주석 시드층 보다 표면 에너지가 큰 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는,황화주석 박막의 형성 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 기저막은 Al2O3 막인 것을 특징으로 하는, 황화주석 박막의 형성 방법
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계에서 상기 이황화주석 시드층은 연속적이고 균일한 두께를 가지는 이황화주석 단위박막이 1 내지 5층으로 적층되어 이루어진 것을 특징으로 하는, 황화주석 박막의 형성 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계 및 상기 제 2 단계를 수행하여 형성된 황화주석 박막은,일황화주석과 이황화주석의 혼합상이 아닌 이황화주석의 단일상이며, 상기 기저막과 나란한 층상 구조를 가지되, 상기 층상 구조는 상기 황화주석 박막의 상부에만 나타나지 않고 상기 황화주석 박막의 하부에서 상부까지 전체의 두께에 걸쳐 나타나는 것을 특징으로 하는, 황화주석 박막의 형성 방법
10 10
기저막; 및상기 기저막 상에 제 1 항에 의한 방법으로 형성된 황화주석 박막;을 포함하는, 트랜지스터 구조체
11 11
제 10 항에 있어서,상기 황화주석 박막은 트랜지스터의 채널층으로서, 일황화주석과 이황화주석의 혼합상이 아닌 이황화주석의 단일상이며, 상기 기저막과 나란한 층상 구조를 가지되, 상기 층상 구조는 상기 황화주석 박막의 상부에만 나타나지 않고 상기 황화주석 박막의 하부에서 상부까지 전체의 두께에 걸쳐 나타나는 것을 특징으로 하는, 트랜지스터 구조체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.