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나노임프린팅 방법

  • 기술번호 : KST2019024865
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노임프린팅 방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 나노임프린팅 방법은 기판의 표면을 플라즈마 처리하는 단계; 상기 플라즈마 처리된 기판 상에 폴리이미드 및 실란 화합물을 포함하는 접착 프라이머층을 형성하는 단계; 상기 접착 프라이머층 상에 폴리이미드를 포함하는 레지스트층을 형성하는 단계; 및 상기 레지스트층을 나노임프린트 몰드를 이용하여 나노임프린트층으로 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명의 실시예에 따르면 기판과 레지스트층 사이에 접착 프라이머층을 형성함으로써 나노임프린트 몰드로부터 레지스트층을 용이하게 분리할 수 있다.
Int. CL H01L 33/02 (2010.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) G03F 7/00 (2006.01.01)
CPC H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자 1020160007280 (2016.01.20)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1720895-0000 (2017.03.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170329) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.01.20)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성수 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김현기 대한민국 서울특별시 강남구
3 라하나 대한민국 경기도 부천시 오정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0067421-67
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.07.12 수리 (Accepted) 9-1-2016-0031958-38
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0684184-37
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.11.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1102379-26
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-1102368-24
7 등록결정서
Decision to grant
2017.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0155999-02
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 표면을 플라즈마 처리하는 단계;상기 플라즈마 처리된 기판 상에 폴리이미드 및 실란 화합물을 포함하는 접착 프라이머층을 형성하는 단계;상기 접착 프라이머층 상에 폴리이미드를 포함하는 레지스트층을 형성하는 단계; 및상기 레지스트층을 나노임프린트 몰드를 이용하여 나노임프린트층으로 형성하는 단계를 포함하고, 상기 접착 프라이머층 및 상기 레지스트층은 상기 폴리이미드를 동시에 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린팅 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 플라즈마 처리는 아르곤 가스 또는 산소 가스 기반의 플라즈마를 이용하는 나노임프린팅 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 플라즈마 처리는 1분 내지 10분 동안 진행되는 나노임프린팅 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 나노임프린팅 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 접착 프라이머층은 상기 기판 상에 스핀코팅하여 형성하는 나노임프린팅 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 접착 프라이머층은 0
7 7
제1항에 있어서,상기 기판 및 상기 접착 프라이머층 사이의 박리력은 0
8 8
기판 상에 폴리이미드 및 실란 화합물을 포함하는 접착 프라이머층을 형성하는 단계;상기 접착 프라이머층 상에 폴리이미드를 포함하는 레지스트층을 형성하는 단계; 및상기 레지스트층을 나노임프린트 몰드를 이용하여 나노임프린트층으로 형성하는 단계를 포함하고, 상기 접착 프라이머층 및 상기 레지스트층은 상기 폴리이미드를 동시에 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린팅 방법
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되는 발광다이오드용 기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 경희대학교 산학협력단 지역혁신센터 사업 그린에너지소재부품기술컨소시엄