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가압식 금속 단원자층 제조 방법, 금속 단원자층 구조체 및 가압식 금속 단원자층 제조 장치

  • 기술번호 : KST2019030908
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 가압식 금속 단원층 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 가압식 금속 단원자층 제조 방법은, 기판이 마련된 챔버 내를 밀폐시킨 상태에서, 금속 전구체로 이루어진 금속 전구체 가스를 제공함으로써, 상기 챔버 내의 압력을 증가시켜, 상기 금속 전구체를 상기 기판에 흡착시키는 금속 전구체 가스 가압 도징(dosing) 단계, 상기 금속 전구체 가압 도징 단계 이후, 퍼지시키는 메인 퍼징(main purging) 단계, 상기 메인 퍼징 단계 후에, 반응 가스를 제공하여, 상기 기판에 흡착된 금속 전구체를 금속 단원자층으로 환원하는 반응 가스 도징 단계 및 상기 반응 가스 도징 단계 이후, 퍼지시키는 메인 퍼징 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.
Int. CL C23C 16/455 (2006.01.01) C23C 16/44 (2006.01.01) C23C 16/52 (2018.01.01) C23C 16/14 (2006.01.01)
CPC C23C 16/455(2013.01) C23C 16/455(2013.01) C23C 16/455(2013.01) C23C 16/455(2013.01) C23C 16/455(2013.01) C23C 16/455(2013.01) C23C 16/455(2013.01) C23C 16/455(2013.01) C23C 16/455(2013.01)
출원번호/일자 1020160052633 (2016.04.29)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1820237-0000 (2018.01.12)
공개번호/일자 10-2017-0123752 (2017.11.09) 문서열기
공고번호/일자 (20180119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.29)
심사청구항수 25

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한규석 대한민국 서울특별시 영등포구
2 김홍범 대한민국 서울특별시 광진구
3 성명모 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0413030-91
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-0418612-14
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2017-0008222-59
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0330879-37
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0593573-71
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0705991-38
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.11.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-1122162-29
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-1122161-84
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0868954-82
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판이 마련된 챔버 내를 밀폐시킨 상태에서, 금속 전구체로 이루어진 금속 전구체 가스를 제공함으로써, 상기 챔버 내의 압력을 증가시켜, 상기 금속 전구체를 상기 밀폐된 챔버 내의 상기 기판에 흡착시키는 금속 전구체 가스 가압 도징(dosing) 단계:상기 금속 전구체 가압 도징 단계 이후, 퍼지시키는 메인 퍼징(main purging) 단계;상기 메인 퍼징 단계 후에, 반응 가스를 제공하여, 상기 기판에 흡착된 금속 전구체를 금속 단원자층으로 환원하는 반응 가스 도징 단계; 및상기 반응 가스 도징 단계 이후, 퍼지시키는 메인 퍼징 단계;를 포함하는 가압식 금속 단원자층 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 금속 전구체 가스 가압 도징 단계에서, 상기 챔버 내의 압력은, 0
3 3
제1 항에 있어서,상기 금속 전구체 가스 가압 도징 단계에서, 상기 기판에 흡착된 금속 전구체 가스의 표면 커버리지는 90% 이상인, 가압식 금속 단원자층 제조 방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 금속 전구체 가스 가압 도징 단계는, 적어도 두 번의 서브 가압 도징 단계 및 상기 적어도 두 번의 서브 가압 단계 사이의 서브 퍼징 단계로 이루어지는, 가압식 금속 단원자층 제조 방법
5 5
제4 항에 있어서,상기 적어도 두 번의 서브 가압 도징 단계의 각각의 압력의 크기는 서브 가압 도징 단계의 횟수에 따라 증가하는 가압식 금속 단원자층 제조 방법
6 6
제4 항에 있어서,상기 적어도 두 번의 서브 가압 도징 단계의 각각의 압력은 서로 동일한, 가압식 금속 단원자층 제조 방법
7 7
제4 항에 있어서,상기 서브 퍼징 단계에서의 상기 챔버 내의 압력은, 상기 메인 퍼징 단계에서의 상기 챔버 내의 압력보다 높은 가압식 금속 단원자층 제조 방법
8 8
제4 항에 있어서,상기 서브 퍼징 단계에서의 상기 챔버 내의 압력은, 상기 메인 퍼징 단계에서의 상기 챔버 내의 압력과 같은 가압식 금속 단원자층 제조 방법
9 9
제4 항에 있어서,상기 서브 가압 도징 단계는 4번 이상의 서브 가압 도징 단계로 이루어진 가압식 금속 단원자층 제조 방법
10 10
제1 항에 있어서,상기 금속 전구체 가압 도징 단계, 상기 메인 퍼징 단계들 및 상기 반응 가스 도징 단계에서의 공정 온도는 서로 동일한 가압식 금속 단원자층 제조 방법
11 11
제10 항에 있어서,상기 공정 온도는 100도 내지 200도인 가압식 금속 단원자층 제조 방법
12 12
제1 항에 있어서,상기 반응 가스 도징 단계는, 적어도 두 번의 서브 가압 도징 단계 및 상기 적어도 두 번의 서브 가압 도징 단계 사이의 서브 퍼징 단계로 이루어지는, 가압식 금속 단원자층 제조 방법
13 13
제1 항에 있어서,상기 금속 전구체 가스는, 텅스텐 헥사플로라이드(WF6)를 포함하며, 상기 반응 가스는, 다이실란(Si2H6)를 포함하며, 상기 금속 단원자층은 텅스텐(W)으로 이루어진, 가압식 금속 단원자층 제조 방법
14 14
제1 항에 있어서,상기 금속 전구체 가스는, 몰리브덴 헥사플로라이드(MoF6)를 포함하며, 상기 반응 가스는, 다이실란(Si2H6)를 포함하며, 상기 금속 단원자층은 몰리브덴(Mo)으로 이루어진, 가압식 금속 단원자층 제조 방법
15 15
제1 항 및 제14 항 중 어느 한 항에 따라 제조된 금속 단원자층 구조체
16 16
금속 전구체로 이루어진 금속 전구체 가스, 불활성 가스, 반응 가스 및 불활성 가스가 순차적으로 제공되는 유입구; 상기 유입구와 연통하고 기판이 수용되는 챔버;상기 챔버로 유입된 가스가 배출되는 유출구; 및 상기 금속 전구체 가스가 상기 챔버 내로 제공되는 경우, 상기 유출구를 닫아서 상기 기판이 수용된 챔버 내를 밀폐시킨 상태에서, 상기 챔버 내의 압력을 증가시켜, 상기 금속 전구체 가스를 상기 기판에 흡착시키는 제어부를 포함하는 가압식 금속 단원자층 제조 장치
17 17
제16 항에 있어서, 상기 제어부는 상기 금속 전구체 가스가 상기 챔버 내로 제공되는 경우, 상기 챔버 내의 압력을 0
18 18
제16 항에 있어서,상기 챔버 내의 압력에 의하여, 상기 기판에 흡착된 금속 전구체 가스의 표면 커버리지는 90% 이상인, 가압식 금속 단원자층 제조 장치
19 19
제16 항에 있어서,상기 제어부는, 상기 금속 전구체 가스를 상기 챔버 내로 제공하는 경우, 적어도 두 번의 서브 가압 도징 압력과 상기 적어도 두 번의 서브 가압 도징 압력 사이에 서브 퍼징 압력을 제공하는, 가압식 금속 단원자층 제조 장치
20 20
제19 항에 있어서,상기 적어도 두 번의 서브 가압 도징 압력의 크기는 서브 가압 도징 횟수에 따라 증가하는 가압식 금속 단원자층 제조 장치
21 21
제19 항에 있어서,상기 적어도 두 번의 서브 가압 도징 압력의 각각의 압력은 서로 동일한, 가압식 금속 단원자층 제조 장치
22 22
제19 항에 있어서,상기 제어부는, 상기 서브 퍼징 압력이 상기 불활성 가스가 상기 챔버 내로 공급되는 메인 퍼징 압력보다 높도록 제어하는 가압식 금속 단원자층 제조 장치
23 23
제19 항에 있어서,상기 제어부는, 상기 서브 퍼징 압력이 상기 불활성 가스가 상기 챔버 내로 공급되는 메인 퍼징 압력과 같도록 제어하는 가압식 금속 단원자층 제조 장치
24 24
제16 항에 있어서,상기 금속 전구체 가스는, 텅스텐 헥사플로라이드(WF6)를 포함하며, 상기 반응 가스는, 다이실란(Si2H6)를 포함하며, 상기 금속 단원자층은 텅스텐(W)으로 이루어진, 가압식 금속 단원자층 제조 장치
25 25
제16 항에 있어서,상기 금속 전구체 가스는, 몰리브덴 헥사플로라이드(MoF6)를 포함하며, 상기 반응 가스는, 다이실란(Si2H6)를 포함하며, 상기 금속 단원자층은 몰리브덴(Mo)으로 이루어진, 가압식 금속 단원자층 제조 장치
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1 미래창조과학부 (재)한국연구재단 원천기술개발사업 / 창의소재디스커버리사업 / 창의소재디스커버리사업 멀티레벨 금속 단원자층 아키텍처 소재 제조 및 특성 평가