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안정화된 금속 단원자층 구조체 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019031001
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 안정화된 금속 단원자층 구조체가 개시된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 안정화된 금속 단원자층 구조체는 이차원 층상 구조를 가지는 적어도 한 층의 금속 단원자층 및 상기 금속 단원자층의 상면 및 하면 중 적어도 일면에 마련되는 유기분자층을 포함하여 이루어질 수 있다.
Int. CL C23C 16/02 (2006.01.01) C23C 16/455 (2006.01.01) C23C 16/06 (2006.01.01) C23C 16/56 (2006.01.01) B05D 1/00 (2006.01.01) B05D 7/00 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020170051353 (2017.04.21)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1790927-0000 (2017.10.20)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20171026) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020160048681   |   2016.04.21
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020170134985;
심사청구여부/일자 Y (2017.04.21)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성명모 대한민국 서울특별시 서초구
2 김홍범 대한민국 서울특별시 광진구
3 정진원 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 한규석 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0391381-29
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0391875-72
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.04.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.05.12 수리 (Accepted) 9-1-2017-0015515-96
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0375667-53
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.06.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0566165-23
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0566164-88
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2017.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0588966-39
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-0873164-01
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.09.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0873182-12
11 등록결정서
Decision to grant		 2017.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0674505-56
12 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2017.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-1024501-38
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
이차원(2 dimensional) 층상 구조를 가지는 적어도 한 층의 금속 단원자층; 및상기 금속 단원자층의 상면 및 하면 중 적어도 일면에 마련되는 유기분자층;을 포함하되,상기 금속 단원자층과 상기 유기분자층의 결합에도, 상기 금속 단원자층의 금속성(metallic property)은 유지되는 안정화된 금속 단원자층 구조체
2 2
제1 항에 있어서,상기 금속 단원자층의 금속성(metallic property)은 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy) 분석에 따라 확인되는, 안정화된 금속 단원자층 구조체
3 3
제2 항에 있어서,상기 적어도 한 층의 금속 단원자층은 미리 정해진 층 수로 이루지며, 상기 미리 정해진 층 수로 이루어진 금속 단원자층은, 상기 금속 단원자층을 구성하는 금속으로 이루어지는 벌크 금속과 달리, 반도체 특성을 가지는 안정화된 금속 단원자층 구조체
4 4
제3 항에 있어서,상기 미리 정해진 층 수로 이루어진 금속 단원자층은 온도가 상승함에 따라 캐리어 농도(carrier concentration)가 비-감소하는 안정화된 금속 단원자층 구조체
5 5
제3 항에 있어서,상기 미리 정해진 층 수로 이루어진 금속 단원자층은, 밴드 갭(bandgap)을 가지는 안정화된 금속 단원자층 구조체
6 6
제3 항에 있어서,상기 금속 단원자층의 미리 정해진 층 수가 증가할수록 저항이 감소하는, 안정화된 금속 단원자층 구조체
7 7
제3 항에 있어서,상기 미리 정해진 층 수를 초과하는 경우, 상기 적어도 한 층의 금속 단원자층은 상기 반도체 특성을 상실하는 안정화된 금속 단원자층 구조체
8 8
제3 항에 있어서, 상기 금속 단원자층은 4족, 5족, 및 6족의 금속 중 선택된 금속으로 이루어지고, 상기 유기분자층은 칼코겐 원소를 포함하는 안정화된 금속 단원자층 구조체
9 9
제1 항에 있어서,상기 유기분자층은 상기 이차원 층상 구조의 구조적 형태를 유지시키는, 안정화된 금속 단원자층 구조체
10 10
제1 항에 있어서,상기 금속 단원자층은 적어도 3개의 층으로 이루어지며, 상기 금속 단원자층의 최저층 및 최고층 중 적어도 한 층이 상기 유기분자층과 결합하는 안정화된 금속 단원자층 구조체
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
분자층성장법(molecular layer deposition, MLD)을 통하여 기판 상에 유기분자층을 형성하는 제1 단계;원자층성장법(atomic layer deposition, ALD)을 통하여 상기 유기분자층 상에 적어도 한 층의 금속 단원자층을 형성하는 제2 단계; 및분자층성장법을 통하여 상기 금속 단원자층 상에 유기분자층을 형성하는 제3 단계를 포함하되,상기 제1 단계 및 상기 제3 단계 중 적어도 하나의 단계가 수행되되,상기 제2 단계는 상기 금속 단원자층이 반도체 특성을 가지는 범위 내에서 횟 수가 반복되는, 안정화된 금속 단원자층 구조체 제조방법
14 14
제13 항에 있어서,상기 제1 단계 및 상기 제2 단계 또는 상기 제3 단계 및 상기 제2 단계에서 형성되는, 상기 유기분자층과 상기 금속 단원자층이 결합하는 경우, XPS 분석에 따른 상기 금속 단원자층의 금속성은 유지되는, 안정화된 금속 단원자층 구조체 제조 방법
15 15
삭제
16 16
제13 항에 있어서,상기 유기분자층은 상기 금속 단원자층의 이차원 층상 구조를 유지시키는, 안정화된 금속 단원자층 구조체 제조 방법
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1 KR101906737 KR 대한민국 FAMILY
2 US20190055644 US 미국 FAMILY
3 WO2017183932 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 KR101906737 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
2 KR20170120537 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
3 US2019055644 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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