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초고속 LED 소자에 있어서,정공을 공급하는 제1 금속전극층;상기 제1 금속전극층 위에 형성된 정공전달층;상기 정공전달층 위에 형성된 광방출층;상기 광방출층 위에 형성된 전자전달층; 및상기 전자전달층 위에 형성된 전자를 공급하는 제2 금속전극층; 을 포함하여 이루어지고,상기 정공전달층 및 전자전달층은 초박막 다성분계 이종접합 소재를 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 정공전달층 및 전자전달층은 다수의 레이어가 적층된 구조를 가지며, 각 레이어는 제1전이금속 및 제2 전이금속을 포함하는 전이금속 칼코겐화물로 이루어진 초박막 다성분계 이종접합 소재이고, 상기 각 레이어의 제 1전이금속 및 제 2 전이금속의 성분비는 서로 상이한 것을 특징으로 하는 초고속 LED 소자
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청구항 1에 있어서,상기 전이금속 칼코겐화물에서 전이금속은 Ti, Hf, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Tc, Re, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Zn, Sn중 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는 초고속 LED 소자
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청구항 1에 있어서,상기 전이금속 칼코겐화물에서 칼코겐(calcogen)은 S, Se, Te중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 초고속 LED 소자
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청구항 1에 있어서,상기 다수의 레이어 중 최하단 레이어는 상기 제1 전이금속의 성분비가 가장 높으며, 상기 최하단 레이어에서 최상단 레이어로 갈수록 상기 제1 전이금속의 성분비가 낮아지는 것을 특징으로 하는 초고속 LED 소자
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청구항 1에 있어서,상기 제1 전이금속은 Mo이고 상기 제2 전이금속은 W이고, 각 레이어의 전이금속 칼코겐화물은 Mo(1-x)WxS2를 포함하며, x값은 최하단 레이어에서 최상단 레이어로 갈수록 증가하는 것을 특징으로 하는 초고속 LED 소자
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청구항 1에 있어서,상기 정공전달층 및 상기 전자전달층은 원자층 증착 방법(ALD)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 초고속 LED 소자
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청구항 1에 있어서,상기 정공전달층 및 상기 전자전달층의 두께는 1nm ~ 10nm인 것을 특징으로 하는 초고속 LED 소자
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10
청구항 1에 있어서,상기 광방출층과 상기 정공전달층 사이 및 상기 광방출층과 상기 전자전달층 사이에 위치하는 장벽층을 포함하여 이루어지고, 상기 장벽층에 의해 상기 광방출층에서 양자 우물(QW)을 형성하는 것을 특징으로 하는 초고속 LED 소자
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청구항 10에 있어서,다층 양자 우물(MQW)이 형성되도록 상기 광방출층과 상기 장벽층이 교대로 형성되는 것을 특징으로 하는 초고속 LED 소자
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