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기판;상기 기판 상에 형성되고, 서로 동일한 타입의 도펀트(dopant)로 도핑된 소스 및 드레인 영역;상기 소스 영역과 상기 드레인 영역을 연결하고, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 동일한 타입의 도펀트(dopant)로 도핑된 나노와이어 채널 영역; 상기 나노와이어 채널 영역을 둘러싸도록 형성된 게이트 절연막; 및상기 게이트 절연막 상에 형성되고, 상기 나노와이어 채널 영역을 둘러싸도록 형성된 게이트 전극;을 포함하는 무접합 트랜지스터의 구동전류를 증가시키는 방법에 있어서,상기 소스 영역과 상기 드레인 영역에 전압을 인가하여 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 흐르는 전류에 의해 줄열(joule heat)을 발생시키고, 상기 발생시킨 줄열에 의해 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역의 도펀트가 활성화되어 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역을 연결하는 상기 나노와이어 채널 영역에 흐르는 전류량을 증가시키는, 무접합 트랜지스터의 구동전류를 증가시키는 방법
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제 1항에 있어서, 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역에 도핑된 도펀트의 농도는 상기 나노와이어 채널 영역에 도핑된 도펀트의 농도보다 높은, 무접합 트랜지스터의 구동전류를 증가시키는 방법
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제 1항에 있어서, 상기 나노와이어 채널 영역은 복수 개 형성되고, 상기 복수 개의 나노와이어 채널 영역은 지면에 수직인 방향으로 적층되어 수직 적층형 트랜지스터를 완성하는, 무접합 트랜지스터의 구동전류를 증가시키는 방법
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제 1항에 있어서,상기 트랜지스터는, Ⅲ-Ⅴ족 물질을 이용한 트랜지스터, 게르마늄 원소를 포함한 트랜지스터, 2차원 재료를 이용한 트랜지스터, 3차원 입체형 트랜지스터, 고유전율(High-k) 유전체와 금속 게이트 전극을 포함한 트랜지스터, 고분자 유기물을 포함한 트랜지스터, 및 절연층 매몰 실리콘 웨이퍼를 이용한 트랜지스터 중 적어도 하나를 포함하는, 무접합 트랜지스터의 구동전류를 증가시키는 방법
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제 4항에 있어서,상기 3차원 입체형 트랜지스터는, 핀(Fin) 트랜지스터, 게이트 올 어라운드(Gate-All-Around) 트랜지스터, 더블 게이트(Double-gate) 트랜지스터, 트리 게이트(Tri-gate) 트랜지스터, 및 오메가 게이트(Omega-gate) 트랜지스터 중 적어도 하나를 포함하는, 무접합 트랜지스터의 구동전류를 증가시키는 방법
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제 4항에 있어서,상기 고유전율(High-k) 유전체와 금속 게이트 전극을 포함한 트랜지스터는, 상기 유전체의 유전상수가 4이상인, 무접합 트랜지스터의 구동전류를 증가시키는 방법
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제 4항에 있어서,상기 절연층 매몰 실리콘 웨이퍼를 이용한 트랜지스터는, 절연층 매몰 스트레인드 실리콘, 절연층 매몰 게르마늄, 절연층 매몰 스트레인드 게르마늄, 및 절연층 매몰 실리콘 게르마늄 중 적어도 하나를 포함하는, 무접합 트랜지스터의 구동전류를 증가시키는 방법
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제 1항에 있어서,상기 게이트 전극은, 폴리실리콘(polycrystalline Silicon), 고농도의 N타입으로 도핑된 폴리실리콘, 고농도의 P타입으로 도핑된 폴리실리콘, 금(Au), 탄탈륨 나이트라이드(TaN), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 및 타이타늄(Ti) 중 적어도 하나를 포함하는, 무접합 트랜지스터의 구동전류를 증가시키는 방법
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