| 1 |
1
투명 기재 상에 코팅된 금속 나노와이어 층을 롤루롤 공정으로 산화제 및 환원제와 연속 반응시켜, 상기 금속 나노와이어 층 내의 서로 접촉 또는 중첩된 금속 나노와이어 사이를 접합시키는 단계를 포함하는,투면 도전막의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 접합시키는 단계 이전에, 투명 기재 상에 코팅된 금속 나노와이어 층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 금속 나노와이어 층을 형성하는 단계는, 투명 기재 상에 금속 나노와이어 분산액을 롤투롤 공정으로 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,투명 도전막의 제조 방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,투명 기재 상에 금속 나노와이어 분산액을 룰투롤 공정으로 코팅하는 단계는 마이어 로드 코팅 공정으로 수행하는 것을 특징으로 하는,투명 도전막의 제조 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 금속 나노와이어는 은 나노와이어 및 구리 나노와이어 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,투명 도전막의 제조 방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 산화제는 질산, 과산화물, 망간산화물, 황산화물, 염소산염, 크롬산화물, 황산세륨, 비스무트산아연, 철산염이온 및 질산지르코늄 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,투명 도전막의 제조 방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 환원제는 수소화붕소나트륨, 수소화알루미늄리튬, 티로신, 아르코르브산, 글리콜알데히드, 폴리(N-비닐-2-피롤리돈), 아피인, 하이드로퀴논, 카테콜 및 p-아미노페놀 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,투명 도전막의 제조 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 접합시키는 단계에서, 상기 산화제 및 환원제와 연속 반응은 1 내지 3번 반복 수행하는 것을 특징으로 하는,투명 도전막의 제조 방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 접합시키는 단계 이후에,상기 금속 나노와이어 층을 폴리머 매트릭스에 임베딩(embedding)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,투명 도전막의 제조 방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 임베딩하는 단계는,상기 금속 나노와이어 층 상에 광 경화성 프리폴리머 용액을 도포하는 단계;광 경화성 프리폴리머 용액이 도포된 금속 나노와이어 층 상에 투명 폴리머 필름을 적층하는 단계;광을 조사하여 광 경화성 프리폴리머를 경화시키는 단계; 및투명 기재를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,투명 도전막의 제조 방법
|
| 10 |
10
접촉 또는 중첩된 금속 나노와이어들 사이가 서로 접합된 금속 나노와이어 층을 포함하는,투명 도전막
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 금속 나노와이어 층은 폴리머 매트릭스에 임베딩된 것을 특징으로 하는,투명 도전막
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 폴리머 매트릭스는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)을 포함하는 것을 특징으로 하는,투명 도전막
|
| 13 |
13
제10항에 있어서,상기 금속 나노와이어는 은 나노와이어 및 구리 나노와이어 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,투명 도전막
|
| 14 |
14
제10항에 있어서,상기 투명 도전막은 최소 11 Ωsq-1의 면저항과 550nm 파장에서 최대 90 내지 91%의 광 투과율을 갖는 것을 특징으로 하는,투명 도전막
|
| 15 |
15
제10항 내지 제14항 중 어느 한 항의 투명 도전막을 포함하는 애노드 전극을 포함하는,유기 발광 다이오드
|
