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캐리어 기판을 준비하는 단계;상기 캐리어 기판 상에 이형층을 형성하는 단계;상기 이형층 상에 유연 기판을 접합하는 단계;상기 유연 기판 상에 단층 또는 복층의 전기 배선 구조를 형성하는 단계; 및상기 캐리어 기판으로부터 상기 이형층을 분리시키는 단계;를 포함하고,상기 이형층을 분리시키는 단계는,외부로부터 자외선 또는 열에너지를 인가하여 상기 이형층의 점착력을 저하시키는 단계를 포함하는,유연 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전기 배선 구조를 형성하는 단계 이후에, 상기 전기 배선 구조 중 최상위에 형성된 전기 배선의 적어도 일부에 반도체 칩(chip)을 전기적으로 접속시키는 단계를 더 포함하는,유연 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 유연 기판은 자외선 투과도를 가지는 물질이며,상기 캐리어 기판으로부터 상기 이형층을 분리시키는 단계는,상기 캐리어 기판의 상부로부터 상기 유연 기판을 통해 상기 이형층에 자외선을 투입하여 상기 이형층의 점착력을 저하시키는 단계를 포함하는, 유연 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 캐리어 기판은 자외선 투과도를 가지는 물질이며,상기 이형층을 분리시키는 단계는, 상기 캐리어 기판의 하부로부터 상기 캐리어 기판을 통하여 자외선을 상기 이형층으로 투입하여 상기 이형층의 점착력을 저하시키는 단계를 포함하는, 유연 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 캐리어 기판으로부터 상기 이형층을 분리시키는 단계는,외부 열원으로부터 상기 이형층에 열에너지를 투입하여 상기 이형층의 점착력을 저하시키는 단계를 포함하는,유연 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 캐리어 기판은 가시광 파장 대역의 광 투과도를 가지는 재질이며,상기 이형층을 분리시키는 단계는, 상기 캐리어 기판 하부로부터 상기 캐리어 기판을 통과하여 광에너지를 상기 이형층에 투입하여 상기 이형층을 국부적으로 가열하여 상기 이형층의 점착력을 약화시키는 단계를 포함하는, 유연 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 유연 기판은 광 투과도를 가지는 재질이며,상기 이형층을 분리시키는 단계는, 상기 캐리어 기판 상부로부터 상기 유연 기판을 통하여 광에너지를 상기 이형층에 투입하여 상기 이형층을 국부적으로 가열하여 상기 이형층의 점착력을 약화시키는 단계를 포함하는, 유연 소자 제조 방법
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제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 광에너지는 레이저를 포함하는, 유연 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 이형층은 PET(Polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalene), PI(Polyimide), 유리섬유에 PTFE (Polytetra fluoro ethylene)가 코팅된 필름, ETFE(Ethylene terafluoroethylene),PEEK (Polyether etherketon), PPS(Poly phenylene sulfide), PES(Polyethersulfone) 중 적어도 어느 하나의 물질을 기재(base)로 하는 ,유연 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 유연 소자는 적어도 둘 이상의 절연층을 이용하여 적어도 둘 이상의 전기전도용 배선 층이 적층된 형태인,유연 소자 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 전기전도용 배선층은 투명한 전도성 산화물로 이루어진, 유연 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 유연 기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계를 더 포함하는, 유연 소자 제조 방법
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제 12 항에 있어서, 상기 박막트랜지스터의 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극은 투명한 전도성 산화물로 구성되고, 채널영역은 투명한 산화물 반도체로 구성되며, 게이트 절연막은 투명한 절연체로 구성되는, 유연 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 반도체칩(chip)을 상기 전기 배선과 접속하는 단계는, 상기 전기 배선을 포함하는 상기 유연 기판 상에 리지드(rigid) 기판으로 제작되어 박형화 된 센서 또는 ASIC 소자의 베어 다이(bare die)를 접속하는 단계를 포함하는,유연 소자 제조 방법
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