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이차원 반도체 소재를 이용한 유연 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2020007688
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유연 기판; 및 상기 유연 기판 상에 형성되며 이차원 반도체 소재로 이루어진 채널; 상기 채널상에 순차적으로 적층된 게이트 절연막과 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 이격외더 상기 채널 상에 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 차원 반도체 소재를 이용한 유연 박막 트랜지스터가 제공된다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 29/778 (2006.01.01) H01L 21/285 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC H01L 29/78606(2013.01) H01L 29/78606(2013.01) H01L 29/78606(2013.01) H01L 29/78606(2013.01) H01L 29/78606(2013.01) H01L 29/78606(2013.01) H01L 29/78606(2013.01) H01L 29/78606(2013.01)
출원번호/일자 1020180162133 (2018.12.14)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0073688 (2020.06.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성율 대전광역시 유성구
2 우영준 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-1259453-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
유연 기판; 및 상기 유연 기판 상에 형성되며 이차원 반도체 소재로 이루어진 채널; 상기 채널상에 순차적으로 적층된 게이트 절연막과 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 이격외더 상기 채널 상에 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 차원 반도체 소재를 이용한 유연 박막 트랜지스터
2 2
제 1항에 있어서, 상기 이차원 반도체 소재는 전이금속 칼코겐 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유연 박막 트랜지스터
3 3
제 2항에 있어서, 상기 전이금속 칼코겐 화합물을 포함하는 이차원 반도체 소재는 또 다른 기판 상에서 화학 기상 증착 방법으로 형성된 후, 상기 유연 기판 상으로 전사된 것을 특징으로 하는 유연 박막 트랜지스터
4 4
제 2항에 있어서, 상기 유연 기판은 1
5 5
제 1항 내지 제 4에 따른 유연 박막 트랜지스터가 적어도 2개 이상 포함하는 유연 박막 트랜지스터 여레이
6 6
유연 박막 트랜지스터 제조방법으로, 유연 기판 상에 게이트 전극 및 게이트 절연막을 순차적으로 형성하는 단계; 또 다른 기판상에서 화학 기상 증착 방법에 의하여 형성된 이차원 반도체 소재 박막을 상기 게이트 절연막 상에 전사시켜 채널을 형성하는 단계; 상기 이차원 반도체 소재 박막 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유연 박막 트랜지스터 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 이차원 반도체 소재는 전이금속 칼코겐 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유연 박막 트랜지스터
8 8
제 7항에 있어서, 상기 이차원 반도체 소재는 이황화몰리브덴(MoS2), 이셀렌화몰리브덴(MoSe2), 이텔루륨화몰리브덴(MoTe2), 이황화텅스텐(WS2), 이셀렌화텅스텐(WSe2) 및 이텔루륨화텅스텐(WTe2)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유연 박막 트랜지스터
9 9
제 6항에 있어서, 상기 유연 기판은 1
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
패밀리 정보가 없습니다

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2020194595 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술원 원천기술개발사업 레이저-소재 상호 작용 기반 디스플레이 핵심소재 개발