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공유 비트 라인 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020002929
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 공유 비트 라인 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 공유 비트 라인 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리는, 일 방향으로 연장 형성되는 채널층을 각각 포함하는 복수의 스트링들; 및 상기 일 방향에 대해 직교되는 방향으로 상기 복수의 스트링들의 상부에서 상기 복수의 스트링들의 사이에 배치된 채, 상기 복수의 스트링들 중 인접한 스트링들 각각과 연결되어 상기 인접한 스트링들에 의해 공유되는 적어도 하나의 비트 라인을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 27/11556 (2017.01.01) H01L 27/11524 (2017.01.01) H01L 27/11529 (2017.01.01) H01L 27/11582 (2017.01.01) H01L 27/1157 (2017.01.01) H01L 27/11573 (2017.01.01)
CPC H01L 27/11556(2013.01) H01L 27/11556(2013.01) H01L 27/11556(2013.01) H01L 27/11556(2013.01) H01L 27/11556(2013.01) H01L 27/11556(2013.01)
출원번호/일자 1020180105693 (2018.09.05)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0027643 (2020.03.13) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.09.05)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자 주식회사 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0881224-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.03.14 수리 (Accepted) 9-1-2019-0012122-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0546891-10
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0856838-91
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.08.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0856839-36
9 등록결정서
Decision to grant		 2020.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0117898-02
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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일 방향으로 연장 형성되는 채널층을 각각 포함하는 복수의 스트링들; 상기 복수의 스트링들 각각의 상기 일 방향으로 중간 지점에 형성되어 소스 전극 또는 드레인 전극 중 어느 하나로 선택적으로 사용 가능한 적어도 하나의 중간 배선층; 및 상기 일 방향에 대해 직교되는 방향으로 상기 복수의 스트링들의 상부에서 상기 복수의 스트링들의 사이에 배치된 채, 상기 복수의 스트링들 각각의 선택 구동이 가능하도록 상기 적어도 하나의 중간 배선층이 상기 복수의 스트링들과 연결되는 상황에 기초하여 상기 복수의 스트링들 중 인접한 스트링들 각각과 연결되어 상기 인접한 스트링들에 의해 공유되는 적어도 하나의 비트 라인을 포함하고, 상기 적어도 하나의 비트라인은, 상기 적어도 하나의 중간 배선층이 상기 복수의 스트링들 중 수평 방향 또는 수직 방향으로 인접한 스트링들과 연결되는 경우, 상기 복수의 스트링들 중 대각 방향으로 인접한 스트링들 각각과 연결되고, 상기 적어도 하나의 중간 배선층이 상기 복수의 스트링들 중 대각 방향으로 인접한 스트링들과 연결되는 경우, 상기 복수의 스트링들 중 수평 방향 또는 수직 방향으로 인접한 스트링들 각각과 연결되는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 비트 라인은, 상기 복수의 스트링들 중 대각 방향, 수평 방향 또는 수직 방향으로 인접한 스트링들 각각과 연결되는, 3차원 플래시 메모리
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일 방향으로 연장 형성되는 채널층을 각각 포함하는 복수의 스트링들을 형성하는 단계; 상기 복수의 스트링들 각각의 상기 일 방향으로 중간 지점에 소스 전극 또는 드레인 전극 중 어느 하나로 선택적으로 사용 가능한 적어도 하나의 중간 배선층을 형성하는 단계; 및 상기 일 방향에 대해 직교되는 방향으로 상기 복수의 스트링들의 상부에서 상기 복수의 스트링들의 사이에 배치된 채, 상기 복수의 스트링들 각각의 선택 구동이 가능하도록 상기 적어도 하나의 중간 배선층이 상기 복수의 스트링들과 연결되는 상황에 기초하여 상기 복수의 스트링들 중 인접한 스트링들 각각과 연결되어 상기 인접한 스트링들에 의해 공유되는 적어도 하나의 비트 라인을 생성하는 단계를 포함하고, 상기 생성하는 단계는, 상기 적어도 하나의 중간 배선층이 상기 복수의 스트링들 중 수평 방향 또는 수직 방향으로 인접한 스트링들과 연결되는 경우, 상기 적어도 하나의 비트 라인이 상기 복수의 스트링들 중 대각 방향으로 인접한 스트링들 각각과 연결되도록 생성하는 단계; 또는 상기 적어도 하나의 중간 배선층이 상기 복수의 스트링들 중 대각 방향으로 인접한 스트링들과 연결되는 경우, 상기 적어도 하나의 비트 라인이 상기 복수의 스트링들 중 수평 방향 또는 수직 방향으로 인접한 스트링들 각각과 연결되도록 생성하는 단계중 어느 하나의 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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