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공통 피웰을 이용하는 낸드 플래시 메모리 및 이의 동작방법

  • 기술번호 : KST2014043188
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 핫 캐리어 주입을 이용하는 플래시 메모리 및 이의 동작 방법이 개시된다. 페이지를 구성하는 다수의 스트링은 하나의 p-웰 상에 형성되어, p-웰을 공유한다. 프로그램 동작시에는 스트링 선택 트랜지스터는 턴오프되고, p-웰에 인가되는 바이어스에 의해 소스 또는 드레인 영역의 전자는 축적된다. 이어서, 워드라인을 통해 인가되는 프로그램 전압에 의해 축적된 전자는 메모리 셀의 전하 트랩층에 트랩된다. 또한, 소거 동작시에는 p-웰에 인가되는 바이어스에 의해 축적된 홀은 소거 전압에 의해 전하 트랩층으로 트랩된다. 낸드 플래시의 프로그램 및 소거 동작은 핫 캐리어 주입을 이용한다. 낸드 플래시, p-웰, 핫 캐리어 주입
Int. CL G11C 16/04 (2006.01.01) G11C 16/10 (2006.01.01) G11C 16/14 (2006.01.01) G11C 5/06 (2006.01.01) H01L 27/1157 (2017.01.01)
CPC G11C 16/0483(2013.01) G11C 16/0483(2013.01) G11C 16/0483(2013.01) G11C 16/0483(2013.01) G11C 16/0483(2013.01) G11C 16/0483(2013.01)
출원번호/일자 1020080089407 (2008.09.10)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1017757-0000 (2011.02.18)
공개번호/일자 10-2010-0030452 (2010.03.18) 문서열기
공고번호/일자 (20110228) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.10)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤한섭 대한민국 경기도 이천시 향교로
2 이종석 대한민국 * 미국 매사추세츠
3 곽계달 대한민국 서울특별시 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0642862-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.08.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0554394-70
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2009-0052699-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0136485-04
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0346474-70
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0422401-19
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0491560-66
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0491547-72
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0551062-73
11 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.12.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0050662-33
12 등록결정서
Decision to grant		 2011.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0075381-24
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
p-웰 영역; 및 상기 p-웰 영역 상에 형성된 다수의 스트링들을 포함하고, 상기 각각의 스트링은 직렬연결된 다수의 메모리 셀을 가지며, 상기 다수의 메모리 셀은 상기 p-웰 영역 상에 형성되어, 상기 p-웰 영역을 공유하며, 선택된 스트링에 공급되는 프로그램 전압 및 상기 p-웰 영역에 독립적으로 연결된 바디 바이어스에 의해 메모리 셀은 선택적으로 프로그램되고, 워드라인을 통해 공급되는 소거 전압 및 상기 바디 바이어스에 의해 하나의 페이지를 구성하는 모든 메모리 셀들은 소거되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
2 2
제1항에 있어서, 상기 스트링은, 비트라인에 전기적으로 연결된 스트링 선택 트랜지스터; 상기 스트링 선택 트랜지스터에 전기적으로 연결된 메모리 셀들; 및 상기 메모리 셀들에 전기적으로 연결된 접지 선택 트랜지스터를 가지고, 프로그램 동작시에는, 스트링 선택 트랜지스터는 턴오프되고, 상기 p-웰에 공급되는 상기 바디 바이어스에 의해 축적된 전자를 상기 워드 라인을 통해 공급되는 상기 프로그램 전압에 의해 핫 캐리어 주입을 수행하고, 소거 동작시에는, 상기 p-웰에 공급되는 상기 바디 바이어스에 의해 축적된 홀을 상기 워드 라인을 통해 공급되는 상기 소거 전압에 의해 핫 캐리어 주입을 수행하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리
3 3
다수의 스트링을 가지고, 각각의 스트링은 비트라인에 전기적으로 연결된 스트링 선택 트랜지스터, 상기 스트링 선택 트랜지스터에 전기적으로 연결된 메모리 셀들 및 상기 메모리 셀들에 전기적으로 연결된 접지 선택 트랜지스터를 가지는 플래시 메모리의 프로그램 방법에 있어서, 상기 다수의 스트링 하부에 형성된 하나의 p-웰 영역에 워드라인 및 상기 비트라인과 독립적으로 구성된 바디 바이어스를 인가하여, 상기 메모리 셀의 소스 또는 드레인 영역에 전자를 축적하는 단계; 및 특정의 상기 워드 라인에 프로그램 전압을 인가하여 상기 축적된 전자를 상기 메모리 셀의 전하 트랩층에 트랩시키는 단계를 포함하는 플래시 메모리의 프로그램 방법
4 4
제3항에 있어서, 전자를 축적하는 단계는 상기 스트링 선택 트랜지스터와 상기 접지 선택 트랜지스터를 오프 상태로 설정하고, 상기 축적된 전자를 상기 메모리 셀의 전하 트랩층에 트랩시키는 프로그램 동작이 수행되는 메모리 셀에 연결된 다른 메모리 셀은 온 상태로 설정하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 프로그램 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 프로그램 동작이 수행되는 스트링 이외의 다른 스트링의 스트링 선택 트랜지스터는 턴온되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 프로그램 방법
6 6
다수의 스트링을 가지고, 각각의 스트링은 비트라인에 전기적으로 연결된 스트링 선택 트랜지스터, 상기 스트링 선택 트랜지스터에 전기적으로 연결된 메모리 셀들 및 상기 메모리 셀들에 전기적으로 연결된 접지 선택 트랜지스터를 가지는 플래시 메모리의 소거 방법에 있어서, 상기 다수의 스트링 하부에 형성된 하나의 p-웰 영역에 워드라인 및 상기 비트라인과 독립적으로 구성된 바디 바이어스를 인가하여, 상기 메모리 셀의 소스 또는 드레인 영역에 홀을 축적하는 단계; 및 상기 p-웰을 공유하는 모든 워드 라인에 소거 전압을 인가하여 상기 축적된 홀을 상기 메모리 셀의 전하 트랩층에 트랩시키는 단계를 포함하는 플래시 메모리의 소거 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 축적된 홀을 상기 메모리 셀의 전하 트랩층에 트랩시키는 소거 동작 시에는, 상기 하나의 p-웰 영역 상에 형성된 모든 스트링의 스트링 선택 트랜지스터들은 오프 상태로 설정되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 소거 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08687424 US 미국 FAMILY
2 US20110216595 US 미국 FAMILY
3 WO2010030110 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2010030110 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011216595 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8687424 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2010030110 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
4 WO2010030110 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.