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소정의 폭 및 높이를 가지는 적어도 하나의 채널이 형성된 몰드를 준비하는 단계;기판 상에 유기 고분자 전구체인 P3HT(poly(3-hexylthiophene)) 및 유기 용매를 포함하는 유기 잉크를 제공하는 단계;상기 몰드로 상기 기판을 덮어, 상기 유기 잉크로 상기 채널을 채우는 단계; 및상기 유기 용매를 휘발시켜, 상기 유기 고분자 전구체를 상기 채널의 형상을 따라 유기 단결정으로 성장시키는 단계를 포함하되,상기 채널의 높이는 500 nm 이하이고,상기 유기 단결정은 triclinic 단결정 구조를 갖는 유기 단결정 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 유기 단결정으로 성장시키는 단계는, 진공 분위기에서 어닐링하는 단계를 더 포함하는 유기 단결정 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 유기 단결정의 a축 ([100] 방향)은 기판에 수직인 유기 단결정 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 유기 단결정으로 성장시키는 단계에 의하여, 상기 유기 단결정은 상기 채널의 형상을 따라 상기 기판 상에 수직 성장하되, 상기 채널의 양 끝단으로부터 중심부를 향해 성장하는 것을 포함하는 유기 단결정 제조 방법
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제5 항에 있어서, 상기 유기 단결정으로 성장시키는 단계에 의하여, 상기 유기 고분자 전구체는, 상기 채널의 폭, 높이, 및 길이 방향으로 단결정을 가지는 것을 포함하는 유기 단결정 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 유기 단결정으로 성장시키는 단계 이후에, 상기 기판으로부터 상기 몰드를 제거하는 단계를 더 포함하는 유기 단결정 제조 방법
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소정의 폭 및 높이를 가지는 적어도 하나의 채널이 형성된 몰드를 준비하는 단계;기판 상에 유기 고분자 전구체인 P3HT(poly(3-hexylthiophene)) 및 유기 용매를 포함하는 유기 잉크를 제공하는 단계;상기 몰드로 상기 기판을 덮어, 상기 유기 잉크로 상기 채널을 채우는 단계;상기 유기 용매를 휘발시켜, 상기 유기 고분자 전구체를 상기 채널의 형상을 따라 유기 단결정으로 성장시키는 단계; 및상기 유기 단결정과 전기적으로 접촉하는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 채널의 높이는 500 nm 이하이고,상기 유기 단결정은 triclinic 단결정 구조를 갖는 유기 트랜지스터 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 유기 단결정으로 성장시키는 단계에서, 제1 소정 시간 동안 제1 어닐링하는 단계를 더 포함하고, 상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계 이후에, 제2 소정 시간 동안 제2 어닐링하는 단계를 더 포함하는 유기 트랜지스터 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 제1 및 제2 어닐링하는 단계는, 진공 분위기에서 수행되고, 상기 제2 소정 시간은 상기 제1 소정 시간 보다 짧은 것을 포함하는 유기 트랜지스터 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 유기 단결정의 a축 ([100] 방향)은 기판에 수직인 유기 트랜지스터 제조 방법
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고분자 유기물인 P3HT를 포함하고, 500 nm 이하의 높이를 가지며, triclinic 단결정 구조를 갖는 유기 단결정층
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제12 항에 있어서,상기 유기 단결정층의 a축 ([100] 방향)은 기판에 수직인 유기 단결정층
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