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Si, 첨가금속 M 및 Fe 각각의 금속 또는 합금을 기 설정된 조성비의 합금이 되는 비율로 혼합한 후 용융하여 용융금속을 제조하는 단계;상기 용융금속을 액체급냉응고법으로 고체화하여 상기 기 설정된 조성비의 Si-M-Fe 조성을 가지는 Si계 아몰퍼스 합금을 제조하는 단계; 및상기 Si계 아몰퍼스 합금을 기 설정된 조건에서 열처리하여, 비활성 금속 아몰퍼스 매트릭스 상 또는 비활성 결정질 매트릭스 상에 100nm이하 크기의 활성금속인 결정질 Si 상이 균일하게 분산 석출된 미세조직을 갖는 리튬이차전지용 음극활물질을 제조하는 단계;를 포함하고,상기 첨가금속 M은 Al과, Ni, Ti, W, Co, Cr, Ge 또는 Ca로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속원소를 포함하는 리튬이차전지용 음극활물질을 제조하는 리튬이차전지용 음극활물질 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 리튬이차전지용 음극활물질은,Si 45 at% 이상 60 at% 미만, 첨가금속 M 25at% 내지 45 at% 및 Fe 10 at% 내지 25 at%를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 음극활물질 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 Si계 아몰퍼스 합금을 제조하는 단계의 상기 기 설정된 조건에서의 열처리는,480℃~750℃ 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 리튬이차전징용 음극활물질 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 음극활물질을 제조하는 단계에서 제조된 상기 음극활물질은,상기 Ni, Ti, W, Co, Cr, Ge 또는 Ca로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속원소를 0
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Si 45 at% 이상 60 at% 미만, 첨가금속 M 25at% 내지 45 at% 및 Fe 10 at% 내지 25 at%를 포함하고,상기 첨가금속 M은 Al과, Ni, Ti, W, Co, Cr, Ge 또는 Ca로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속원소를 포함하며,상기 Si-M-Fe 조성을 가지도록 액체급냉응고법으로 제조된 Si계 아몰퍼스 합금을 기 설정된 온도에서 열처리하는 것에 의해 비활성 금속 아몰퍼스 매트릭스 상 또는 비활성 결정질 매트릭스 상에 100nm 이하 크기의 활성금속인 결정질 Si 상이 균일하게 분산 석출된 미세조직을 갖는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 음극활물질
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제 5항에 있어서, 상기 음극활물질은,상기 Ni, Ti, W, Co, Cr, Ge 또는 Ca로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속원소를 0
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제 5항에 있어서, 상기 기 설정된 조건에서의 열처리는,480℃~750℃ 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 음극활물질
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음극 집전체 및 상기 음극 집전체의 적어도 일면 이상에 형성된 음극활물질층을 포함하고,상기 음극활물질층은 음극활물질 75 wt% 내지 92 wt%, 도전재 1 wt% 내지 10 wt% 및 바인더 7 wt% 내지 15 wt%를 포함하며,상기 음극활물질은 상기 Si-M-Fe 조성을 가지도록 액체급냉응고법으로 제조된 Si계 아몰퍼스 합금을 기 설정된 온도에서 열처리하는 것에 의해 비활성 금속 아몰퍼스 매트릭스 상 또는 비활성 결정질 매트릭스 상에 균일하게 분산 석출된 100 nm 이하 크기의 미세조직 활성금속인 결정질 Si 상을 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 음극
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제 8항에 있어서, 상기 음극활물질은,Si 45 at% 이상 60 at% 미만, 첨가금속 M 25at% 내지 45 at% 및 Fe 10 at% 내지 25 at%를 포함하고,상기 첨가금속 M은 Al과, Ni, Ti, W, Co, Cr, Ge 또는 Ca로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 음극
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제 9항에 있어서, 상기 음극활물질은,상기 Ni, Ti, W, Co, Cr, Ge 또는 Ca로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속원소를 0
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제 8항에 있어서, 상기 기 설정된 조건에서의 열처리는,480℃~750℃ 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 음극
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양극, 음극, 전해질 및 분리막을 포함하는 리튬이차전지에 있어서,상기 음극은 음극 집전체 및 상기 음극 집전체의 적어도 일면 이상에 형성된 음극활물질층을 포함하고,상기 음극활물질층은 음극활물질 75 wt% 내지 92 wt%, 도전재 1 wt% 내지 10 wt% 및 바인더 7 wt% 내지 15 wt%를 포함하며,상기 음극활물질은 상기 Si-M-Fe 조성을 가지도록 액체급냉응고법으로 제조된 Si계 아몰퍼스 합금을 기 설정된 온도에서 열처리하는 것에 의해 비활성 금속 아몰퍼스 매트릭스 상 또는 비활성 결정질 매트릭스 상에 균일하게 분산 석출된 100nm 이하 크기의 미세조직 활성금속인 결정질 Si 상을 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지
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제 12항에 있어서, 상기 음극활물질은,Si 45 at% 이상 60 at% 미만, 첨가금속 M 25at% 내지 45 at% 및 Fe 10 at% 내지 25 at%를 포함하고, 상기 첨가금속 M은 Al과, Ni, Ti, W, Co, Cr, Ge 또는 Ca로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지
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제 13항에 있어서, 상기 음극활물질은,상기 Ni, Ti, W, Co, Cr, Ge 또는 Ca로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속원소를 0
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제 12항에 있어서, 상기 기 설정된 조건에서의 열처리는,480℃~750℃ 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지
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