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적분(Integration) 및 발화(fire)를 수행하는 2단자 스핀 소자를 포함하고,상기 2단자 스핀 소자는 전압이 증가함에 따라 전류가 감소되는 음의 미분 저항(NDR, negative differential resistance) 영역을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 뉴런
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제1항에 있어서,상기 적분은 적어도 하나 이상의 시냅스를 통해 입력된 전기적 신호(input spikes)가 전위(potential)의 형태로 축적되는 것을 특징으로 하는 뉴런
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제2항에 있어서,상기 2단자 스핀 소자에 전압이 인가되면 상기 2단자 스핀 소자는 저저항 상태에서 고저항 상태로 점진적으로 증가하여 상기 적분을 수행하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 뉴런
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제3항에 있어서,상기 전압은 펄스 형태인 것을 특징으로 하는 뉴런
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제2항에 있어서,상기 발화는 상기 축적된 전위(potential)가 임계치에 도달하여 인접한 뉴런으로 전기적 신호를 출력(output spikes)하는 것을 특징으로 하는 뉴런
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제5항에 있어서,상기 2단자 스핀 소자는 상기 적분을 수행하여 저항이 임계 저항(Rth)에 도달하면 상기 발화를 수행하는 것을 특징으로 하는 뉴런
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제1항에 있어서,상기 2단자 스핀 소자는, 하부 전극, 시드층, 고정층, 피고정층, 터널 배리어층, 자유층 및 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 뉴런
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적어도 하나 이상의 프리 뉴런(Pre-neuron);상기 적어도 하나 이상의 프리 뉴런과 전기적으로 연결되는 적어도 하나 이상의 시냅스(Synapse);상기 적어도 하나 이상의 시냅스와 전기적으로 연결되고, 2단자 스핀 소자를 포함하는 적어도 하나 이상의 포스트 뉴런(Post-neuron)을 포함하고,상기 적어도 하나 이상의 포스트 뉴런은 적분(Integration) 및 발화(fire)를 수행하는 것을 특징으로 하는 뉴로모픽 시스템
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제8항에 있어서,상기 2단자 스핀 소자는 전압이 증가함에 따라 전류가 감소되는 음의 미분 저항(NDR, negative differential resistance) 영역을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 뉴로모픽 시스템
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제8항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 시냅스는 크로스바 어레이(cross-bar array) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 뉴로모픽 시스템
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제8항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 시냅스(Synapse)는 멤리스터(memristor) 및 선택소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 뉴로모픽 시스템
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제8항에 있어서,상기 뉴로모픽 시스템은 제어기(controller)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 뉴로모픽 시스템
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제12항에 있어서,상기 제어기(controller)는 상기 적어도 하나 이상의 포스트 뉴런을 리셋(reset)시키는 것을 특징으로 하는 뉴로모픽 시스템
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