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기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에, 금속을 포함하는 제1 전구체, 및 벤젠 고리를 포함하는 제2 전구체를 제공하여, 금속 유기물을 포함하는 예비 박막을 형성하는 단계; 및상기 예비 박막을 열처리하여, 상기 예비 박막으로부터 상기 금속이 제거된 메탈리스(metalless) 박막을 형성하는 단계를 포함하는 메탈리스 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 예비 박막의 열처리 온도를 제어하여, 상기 메탈리스 박막의 식각률(etching rate)이 제어되는 것을 포함하는 메탈리스 박막의 제조 방법
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제2 항에 있어서, 상기 예비 박막이 750℃ 이상의 온도에서 열처리 되는 경우, 상기 메탈리스 박막의 식각률이 감소되는 것을 포함하는 메탈리스 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 예비 박막의 열처리 온도를 제어하여, 상기 예비 박막 내의 반응기의 양을 제어하는 것을 포함하는 메탈리스 박막의 제조 방법
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제4 항에 있어서, 상기 예비 박막이 450℃ 이상의 온도에서 열처리 되는 경우, 상기 예비 박막 내의 반응기의 양이 감소되고, 상기 예비 박막 상에 증착되는 물질막의 증착률이 감소되는 것을 포함하는 메탈리스 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 메탈리스 박막은, 상기 예비 박막이 열처리되어 그래피틱 탄소화(graphitic carbon)된 것을 포함하는 메탈리스 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 메탈리스 박막 내의 탄소 결합 중 C=C sp2 결합의 비율은, 상기 예비 박막 내의 탄소 결합 중 C=C sp2 결합의 비율보다 큰 것을 포함하는 메탈리스 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 메탈리스 박막 내의 탄소 결합 중 C-OH 결합의 비율은, 상기 예비 박막 내의 탄소 결합 중 C-OH 결합의 비율보다 작은 것을 포함하는 메탈리스 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제2 전구체는, HQ(Hydroquinone) 또는 4-mercaptophenol 중 어느 하나를 포함하는 메탈리스 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 금속은, 인듐(In), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 또는 갈륨(Ga) 중 어느 하나를 포함하는 메탈리스 박막의 제조 방법
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기판 상에 베이스 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 및 상기 베이스 패턴을 콘포말하게(conformally) 덮고, 금속 유기물을 포함하는 예비 박막을 형성하는 단계; 상기 베이스 패턴의 사이 및 상기 기판의 상부면에 형성된 상기 예비 박막의 일부분, 및 상기 베이스 패턴의 상부면에 형성된 상기 예비 박막의 일부분을 제거하고, 상기 베이스 패턴의 측면에 형성된 상기 예비 박막의 일부분을 잔존시켜, 예비 패턴을 형성하는 단계; 상기 베이스 패턴을 선택적으로 제거하여, 상기 기판 상에 상기 예비 패턴을 잔존시키는 단계; 상기 예비 패턴을 열처리하여, 상기 예비 패턴으로부터 상기 금속이 제거된 메탈리스 패턴을 형성하는 단계; 및상기 기판 및 상기 메탈리스 패턴 상에 타겟 물질을 제공하여, 인접한 상기 메탈리스 패턴 사이에 타겟 패턴을 선택적으로 형성하는 단계를 포함하는 미세패턴의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 기판 상에 상기 베이스 패턴을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 유기물 패턴을 형성하는 단계; 상기 유기물 패턴 내에 무기물 소스를 침투시켜, 상기 유기물 패턴의 일 영역을 혼합막으로 변환하되, 상기 혼합막은, 잔존된 상기 유기물 패턴의 상부면 및 측면을 덮는 단계; 상기 잔존된 유기물 패턴 상부면 상의 상기 혼합막의 일부를 제거하고, 상기 잔존된 유기물 패턴 측면 상의 상기 혼합막을 잔존시켜, 상기 잔존된 유기물 패턴 측면 상에 상기 베이스 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 잔존된 유기물 패턴을 선택적으로 제거하여, 상기 기판 상에 상기 베이스 패턴을 잔존시키는 단계를 포함하는 미세패턴의 제조 방법
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기판 상에, 금속 유기물을 포함하는 예비 패턴이 열처리된 복수의 메탈리스 패턴을 형성하는 단계; 상기 메탈리스 패턴을 마스크로 이용하여, 외부에 노출된 상기 기판의 일 영역을 식각하여, 상기 메탈리스 패턴 사이에 트렌치(trench)를 형성하는 단계;상기 트렌치의 내면을 콘포말하게(conformally) 덮는 활성막을 형성하고, 상기 메탈리스 패턴을 제거하는 단계; 상기 메탈리스 패턴이 제거된 상기 기판, 및 상기 활성막을 콘포말하게 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및상기 트렌치 내에, 상기 게이트 절연막의 적어도 일 부분과 접촉되도록 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제13 항에 있어서, 상기 게이트 전극은, 상기 트렌치 내에 배치되는 게이트 바디, 및 상기 게이트 바디보다 폭이 넓고 상기 게이트 바디의 상부에 배치되는 게이트 헤드를 포함하며, 머쉬룸(mushroom) 형태를 갖는 전자 소자의 제조 방법
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