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기판에 핵 생성 용액을 스핀 코팅하는 단계;상기 핵 생성 용액이 코팅된 상기 기판을 가열하여 용매를 증발시켜 상기 기판 상에 분산 핵을 형성하는 단계; 및상기 기판 상에 상기 형성된 분산 핵을 기반으로 금속 칼코겐 화합물 박막을 증착하는 단계를 포함하는 금속 칼코겐 화합물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 분산 핵은상기 화학 기상 증착 시 상기 금속 칼코겐 화합물 박막의 결정화 정도를 높일 수 있는 결정핵인 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 화합물 박막의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 결정핵은 주석(Sn) 및 셀레늄화 주석(SnSe2)과 같은 주석 금속 계열 물질로 이루어진 군 및 황화몰리브덴(MoS2) 및 황화텅스텐(WS2)과 같은 헥사고날 구조를 갖는 물질 중 선택되는 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 화합물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 분산 핵은상기 화학 기상 증착 시 상기 금속 칼코겐 화합물 박막의 결정화를 방해할 수 있는 결정화 방해핵인 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 화합물 박막의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 결정화 방해핵은 주석산화물인 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 화합물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 핵 생성 용액은핵 물질을 용매 내에 분산시킨 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 화합물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 핵 생성 용액을 상기 기판에 스핀 코팅하는 상기 단계는,상기 스핀 코팅 공정의 스핀 속도 제어를 통하여, 상기 기판 상에 코팅되는 상기 핵 생성 용액 중 상기 핵의 분산도를 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 화합물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 핵 생성 용액이 코팅된 상기 기판을 가열하여 용매를 증발시켜 상기 기판 상에 핵을 형성하는 상기 단계는상기 기판을 100 ℃ 내지 300 ℃의 온도 조건에서 가열하는 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 화합물 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 핵이 형성된 상기 기판 상에 화학 기상 증착을 통하여 금속 칼코겐 화합물 박막을 증착하는 상기 단계는,화학 기상 증착 챔버(chamber) 내에 전구체 및 반응 가스를 주입하여 상기 화학 기상 증착을 수행하는 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 화합물 박막의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 전구체는 이종 이상의 전구체 및 반응 가스를 동시에 주입할 수 있는 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 화합물 박막의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 반응 가스는 이종 이상의 전구체 및 반응 가스를 순차적으로 주입할 수 있는 것을 특징으로 하는 금속 칼코겐 화합물 박막의 제조방법
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