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고온형 음이온 교환막, 이를 포함하는 수전해 장치 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2021001593
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 명세서에는 고온형 음이온 교환막, 이를 포함하는 수전해 장치 및 이의 제조방법이 개시된다.
Int. CL C25B 13/08 (2006.01.01) C25B 9/23 (2021.01.01) C25B 1/04 (2021.01.01) C08J 5/22 (2006.01.01) C08L 79/04 (2006.01.01)
CPC C25B 13/08(2013.01) C25B 9/23(2013.01) C25B 1/04(2013.01) C08J 5/2256(2013.01) C08L 79/04(2013.01)
출원번호/일자 1020190109068 (2019.09.03)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0027953 (2021.03.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.09.03)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박현서 서울특별시 성북구
2 임아연 서울특별시 성북구
3 이민재 서울특별시 성북구
4 박희영 서울특별시 성북구
5 이소영 서울특별시 성북구
6 김진영 서울특별시 성북구
7 유성종 서울특별시 성북구
8 헨켄스마이어, 디억 서울특별시 성북구
9 장종현 서울특별시 성북구
10 김형준 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2019-0908104-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2021.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0021048-50
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0109854-06
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번호 청구항
1 1
고온형 음이온 교환막으로서,상기 고온형 음이온 교환막은 KOH 도핑이 가능한 폴리벤지이미다졸계 고분자를 포함하고,상기 KOH 도핑이 가능한 폴리벤지이미다졸계 고분자는 인산이 도핑된 폴리벤지이미다졸계 고분자에서 인산을 제거한 것인, 고온형 음이온 교환막
2 2
제1항에 있어서,상기 고온형 음이온 교환막은 100 ℃ 이상의 온도에서 운전되는 고온형 수전해 장치에서 사용되는 것을 특징으로 하는, 고온형 음이온 교환막
3 3
제1항 또는 제2항에 따른 고온형 음이온 교환막을 포함하고,운전 온도가 100 ℃ 이상인 고온형 수전해 장치
4 4
제1항 또는 제2항에 따른 고온형 음이온 교환막의 제조방법으로서, 폴리벤지이미다졸계 고분자를 용액 속에서 중합 후 인산을 첨가하여 중합반응을 종료시키는 단계;중합반응이 종료된 폴리벤지이미다졸계 고분자를 인산에 녹인 후, 이를 기판 상에 캐스팅하는 단계;기판 상에 캐스팅된 막을 가수분해시키는 단계; 및가수분해된 막을 암모니아 용액에 침지하여, 가수분해된 막으로부터 인산을 제거함으로써, 음이온 전도가 가능한 고온형 음이온 교환막을 얻는 단계;를 포함하는 고온형 음이온 교환막 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 가수분해는 40 ℃ 이상의 온도 및 상대 습도 60% 이상의 조건에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 고온형 음이온 교환막 제조방법
6 6
제4항에 있어서,상기 폴리벤지이미다졸계 고분자는 다음의 [화학식 1] 내지 [화학식 8]의 폴리벤지이미다졸계 고분자인 것을 특징으로 하는, 폴리벤지이미다졸계 전해질 막 제조방법:[화학식 1][화학식 2][화학식 3][화학식 4][화학식 5][화학식 6][화학식 7][화학식 8](상기 화학식 6~8에서, A와 B는 각각 술폰산기가 포함되지 않는 반복단위의 백분율 및 술폰산기가 포함된 반복단위를 구성하는 백분율로, A는 0~99이며, B는 100~1이다
7 7
제4항에 따른 제조방법에 의하여 고온형 음이온 교환막을 제조하는 단계;촉매를 가스확산층 위 스프레이 방식으로 도포 후 열처리를 진행하여 산소 발생 촉매가 담지된 양극 및 수소 발생 촉매가 담지된 음극을 제조하는 단계; 및상기 고온형 음이온 교환막을 상기 양극 및 음극 사이에 조립하는 단계; 를 포함하는 고온형 수전해 전지 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 조립하는 단계에 있어서, 상기 양극의 고온형 음이온 교환막과 조립되지 않은 일면에 금(Au) 도금된 티타늄 분리판을 조립하는 것을 특징으로 하는, 고온형 수전해 전지 제조방법
9 9
제7항에 있어서,상기 조립은 3 내지 6 Nm의 체결압으로 체결 및 조립되는 것을 특징으로 하는, 고온형 수전해 전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국전력공사 에너지기술개발사업(Power to Gas기술개발) 재생에너지 이용 극대화를 위한 2 MW급 하이브리드 수전해 그린수소 생산 및 저장 기술개발
2 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 수소에너지혁신기술개발(R＆D) 고분자전해질(PEM) 수전해 고성능 막전극접합체 및 스택 기술 개발