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기본 소자;상기 기본 소자의 적어도 일 방향에 형성되는 중간층; 및상기 기본 소자에 대향하는 방향에서 상기 중간층에 형성되는 금속층을 포함하되,상기 중간층에 대한 전압의 인가에 따라서 상기 중간층 내부에 전도성 필라멘트가 생성되는 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 중간층에 인가되는 전압과 반대 극성의 전압의 인가에 따라서 상기 중간층 내부의 상기 전도성 필라멘트가 축소 또는 제거되는 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 전도성 필라멘트의 생성에 따라 온-전류의 크기가 증가하는 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 중간층의 두께는 2 나노미터(nm) 내지 4 나노미터(nm) 사이의 값을 갖는 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 중간층은 원자층 증착 공정을 이용하여 상기 기본 소자의 적어도 일 방향에 형성되는 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 중간층은 유전체를 포함하되, 상기 유전체는 산화하프늄(HfO2), 이산화규소(SiO2), 질화규소(SiN), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 이산화지르코늄(ZrO2) 및 산화아연(ZnO) 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 기본 소자는 기판 및 상기 기판의 일 방향에 설치되는 소스를 포함하고,상기 중간층은 상기 소스에 대응하여 설치되는 제1 중간층을 포함하고,상기 금속층은 상기 제1 중간층에 대응하여 형성되는 제1 금속층을 포함하는 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 기본 소자는 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(모스펫, MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor), 핀펫(FinFET, Fin Field Effect Transistor), 고 전자 이동성 트랜지스터(HEMT, High Electron Mobility Transistor) 및 구조 접합 전계 효과 트랜지스터(JFET, Junction Field Effect Transistor) 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 소자
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기본 소자의 일 면에 적어도 하나의 중간층이 형성되는 단계; 및상기 적어도 하나의 중간층에, 상기 적어도 하나의 중간층에 대응하는 금속층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 중간층은 상기 중간층에 대한 전압의 인가에 따라서 상기 중간층의 내부에 전도성 필라멘트가 생성되는,반도체 소자의 제조 방법
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