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수직자기이방성(perpendicular magnetic anisotropy, PMA) 특성이 발현되는 텅스텐-바나듐(tungsten-vanadium) 합금 박막을 구비하는 스핀토크 발생층 및 상기 스핀토크 발생층 상에 형성되는 자화 자유층을 포함하는 스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자
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제1항에 있어서, 상기 스핀토크 발생층은, 텅스텐 박막 및 상기 텅스텐 박막과 자화 자유층 사이에 형성되는 상기 텅스텐-바나듐 합금 박막을 포함하는 스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자
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제1항에 있어서, 250℃ 내지 400℃의 온도 범위 내에서의 열처리를 통해 형성되는 스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자
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제3항에 있어서, 상기 텅스텐-바나듐 합금 박막은, 상기 열처리의 온도에 따라 기설정된 조성 비율로 형성되는 스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자
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제4항에 있어서,상기 텅스텐-바나듐 합금 박막은, 상기 열처리 온도가 250℃인 경우, 바나듐의 조성 비율(x, 여기서 x는 실수)이 20 at% ≤ x ≤ 90 at%이고,상기 열처리 온도가 300℃인 경우, 상기 바나듐의 조성 비율(x)이 0 at% 003c# x ≤ 70 at%이며,상기 열처리 온도가 400℃인 경우, 상기 바나듐의 조성 비율(x)이 0 at% 003c# x ≤ 30 at%인스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자
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수직자기이방성(perpendicular magnetic anisotropy, PMA) 특성이 발현되는 텅스텐-바나듐(tungsten-vanadium) 합금 박막을 구비하는 스핀토크 발생층을 형성하는 단계 및상기 스핀토크 발생층 상에 자화 자유층을 형성하는 단계를 포함하는 스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 스핀토크 발생층을 형성하는 단계는, 텅스텐 박막을 형성하는 단계 및 상기 텅스텐 박막 상에 상기 텅스텐-바나듐 합금 박막을 형성하는 단계를 더 포함하는 스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 합금 박막을 형성하는 단계는, 텅스텐 스퍼터링 타겟 및 바나듐 타겟을 이용한 동시 증착법을 통해 상기 텅스텐-바나듐 합금 박막을 형성하는 스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자의 제조방법
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제8항에 있어서, 250℃ 내지 400℃의 온도 범위 내에서의 열처리를 통해 형성되는 스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 합금 박막을 형성하는 단계는,상기 열처리의 온도에 따라 기설정된 조성 비율로 상기 텅스텐-바나듐 합금 박막을 형성하는스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 합금 박막을 형성하는 단계는, 상기 열처리 온도가 250℃인 경우, 바나듐의 조성 비율(x, 여기서 x는 실수)이 20 at% ≤ x ≤ 90 at%인 상기 텅스텐-바나듐 합금 박막을 형성하고,상기 열처리 온도가 300℃인 경우, 상기 바나듐의 조성 비율(x)이 0 at% 003c# x ≤ 70 at%인 상기 텅스텐-바나듐 합금 박막을 형성하며,상기 열처리 온도가 400℃인 경우, 상기 바나듐의 조성 비율(x)이 0 at% 003c# x ≤ 30 at%인 상기 텅스텐-바나듐 합금 박막을 형성하는스핀궤도토크 기반의 스위칭 소자의 제조방법
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