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투명 기판;상기 투명 기판 상에 형성된 전자 수송층;상기 전자 수송층 상에 형성된 페로브스카이트 광흡수층;상기 광흡수층 상에 분산된 양자점 페로브스카이트 층;상기 양자점 페로브스카이트 층 상에 형성된 정공 수송층; 및상기 정공 수송층 상에 형성된 전극을 포함하고,상기 양자점 페로브스카이트는 다수의 결정들을 포함함으로써 상기 광흡수층의 표면에 미세 돌기를 형성하여 상기 광흡수층의 표면적을 증가시키는 것이고,상기 양자점 페로브스카이트는 소수성을 가지는 리간드 및 친수성을 가지는 리간드를 포함하는 것인,페로브스카이트 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트 광흡수층 및 상기 양자점 페로브스카이트 층은 동일 또는 상이한 페로브스카이트 물질을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
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제 4 항에 있어서,상기 페로브스카이트 광흡수층 및 상기 양자점 페로브스카이트 층은 각각 독립적으로 하기 화학식 1 로서 표시되는 페로브스카이트 물질을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지:[화학식 1]RMX3(상기 화학식 1에서,상기 R 은 알칼리금속, C1-24 의 치환된 또는 비치환된 알킬기이고, 상기 R 이 치환된 경우, 그 치환기는 아미노기, 수산화기, 시아노기, 할로겐기, 니트로기 또는 메톡시기이고,상기 M 은 Pb, Sn, Ge, Cu, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, Pd, Cd, Yb, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하는 것이고,상기 X 는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것임)
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제 1 항에 있어서,상기 투명 기판은 FTO, ITO, IZO, ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, SnO2-Sb2O3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는, 페로브스카이트 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 전자 수송층은 TiO2, ZrO, Al2O3, SnO2, ZnO, WO3, Nb2O5, TiSrO3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는, 페로브스카이트 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 정공 수송층은 Spiro-OMeTAD, PEDOT:PSS, G-PEDOT, PANI:PSS, PANI:CSA, PDBT, P3HT, PCPDTBT, PCDTBT, PTAA, MoO3, V2O5, NiO, WO3, CuI, CuSCN, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는, 페로브스카이트 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 전극은 Au, Ag, Pt, Ni, Cu, In, Ru, Pd, Rh, Mo, Ir, Os, C, 전도성 고분자, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는, 페로브스카이트 태양전지
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투명 기판 상에 전자 수송층을 형성하는 단계;상기 전자 수송층 상에 페로브스카이트 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광흡수층 상에 양자점 페로브스카이트 층을 형성하는 단계; 상기 양자점 페로브스카이트 층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계; 및상기 정공 수송층 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 양자점 페로브스카이트는 다수의 결정들을 포함함으로써 상기 광흡수층의 표면에 미세 돌기를 형성하여 상기 광흡수층의 표면적을 증가시키는 것이고,상기 양자점 페로브스카이트는 소수성을 가지는 리간드 및 친수성을 가지는 리간드를 포함하는 것인,페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 양자점 페로브스카이트 층을 형성하는 단계는 양자점 페로브스카이트 용액을 상기 기판 상에 도포하여 수행되는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 양자점 페로브스카이트 용액은 ZnBr2, ZnI2, ZnCl2, LiF, NaF, KF, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, CuF, AgF, AuF, ZnF2, CdF2, HgF2, AlF3, GaF3, InF3, SnF2, PbF2, LiCl, NaCl, KCl, BeCl2, MgCl2, CaCl2, SrCl2, CuCl, AgCl, AuCl, ZnCl2, CdCl2, HgCl2, AlCl3, GaCl3, InCl3, SnCl2, PbCl2, LiBr, NaBr, KBr, BeBr2, MgBr2, CaBr2, SrBr2, CuBr, AgBr, AuBr, ZnBr2, CdBr2, HgBr2, AlBr3, GaBr3, InBr3, SnBr2, PbBr2, LiI, NaI, KI, BeI2, MgI2, CaI2, SrI2, CuI, AgI, AuI, ZnI2, CdI2, HgI2, AlI3, GaI3, InI3, SnI2, PbI2, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 화합물을 포함하는, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 양자점 페로브스카이트 층은 스핀코팅, 바코팅, 잉크젯 프린팅, 노즐 프린팅, 스프레이 코팅, 슬롯다이코팅, 그라비아 프린팅, 스크린 프린팅, 전기수력학적 제트 프린팅, 전기분무, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 방법에 의해 상기 광흡수층 상에 형성되는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 광흡수층 및 상기 정공 수송층은 스핀코팅, 바코팅, 잉크젯 프린팅, 노즐 프린팅, 스프레이 코팅, 슬롯다이코팅, 그라비아 프린팅, 스크린 프린팅, 전기수력학적 제트 프린팅, 전기분무, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 방법에 의해 형성되는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 광흡수층은 100℃ 내지 200℃ 의 열처리를 추가 수행하여 형성되는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 정공 수송층은 Spiro-OMeTAD, PEDOT:PSS, G-PEDOT, PANI:PSS, PANI:CSA, PDBT, P3HT, PCPDTBT, PCDTBT, PTAA, MoO3, V2O5, NiO, WO3, CuI, CuSCN, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 전극은 Au, Ag, Pt, Ni, Cu, In, Ru, Pd, Rh, Mo, Ir, Os, C, 전도성 고분자, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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