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게이트 산화층;상기 게이트 산화층의 극성에 따라서 전하의 양과 극성이 조절되는 채널; 및상기 게이트 산화층 및 상기 채널 사이에 배치된 패시베이션 층을 포함하는 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 패시베이션 층은 고분자 절연 물질 및 2차원 절연 물질 중 적어도 하나를 이용하여 형성된 반도체 소자
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제2항에 있어서,상기 고분자 절연 물질은 3-아미노프로필트리에톡시실란(APTES) 및 트리페닐포스핀(PPh3) 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 소자
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제2항에 있어서,상기 2차원 절연 물질은 육방정 질화붕소(h-BN)를 포함하는 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 패시베이션 층은 일 면이 상기 채널이 접하여 장착되고, 상기 일 면에 대향하는 타 면에 상기 게이트 산화층이 접하여 장착되는 반도체 소자
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제5항에 있어서,상기 채널에 접하여 상기 패시베이션 층의 일 면에 장착되는 소스; 및상기 채널에 접하되 상기 소스와 이격되어 상기 패시베이션 층의 일 면에 장착되는 드레인을 더 포함하는 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 게이트 산화층은 강유전체 물질을 이용하여 형성되되,상기 강유전체 물질은 티탄산 지르콘산 납(PZT: PbZrTiO3), 탄탈산 스트론튬비스무스(STB: SrBi2Ta2O9), 비스무스철산화물(BFO: BiFeO3), 이산화하프늄(HfO2) 및 지르콘산하프늄(HZO: Hf0
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제1항에 있어서,상기 채널은 2차원 물질을 이용하여 형성되되,상기 2차원 물질은 그래핀 및 전이금속 칼코겐 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 소자
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제8항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐 화합물은 이황화 텅스텐(WS2), 이황화 몰리브덴(MoS2), 이황화 레늄(ReS2), 텅스텐 디셀레나이드(WSe2), 몰리브덴 디셀레나이드(MoSe2) 및 레늄 디셀레나이드(ReS2) 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 소자
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게이트 산화층;상기 게이트 산화층의 극성에 따라서 전하의 양과 극성이 조절되는 채널; 및상기 게이트 산화층 및 상기 채널 사이에 배치된 패시베이션 층을 포함하는 메모리 장치
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