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제어 전극, 유전체 층, 반도체 층, 제1 전류 전극 및 제2 전류 전극이 포함된 인쇄 전자소자를 인쇄하는 단계; 및 비정질 플루오르폴리머(amorphous fluoropolymer)를 이용하여 상기 인쇄된 인쇄 전자소자를 패시베이션하는 다층 구조의 멀티 패시베이션 층을 인쇄하는 단계를 포함하는, 멀티 패시베이션을 이용한 인쇄 전자소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 멀티 패시베이션 층을 인쇄하는 단계는, 소수성 특성을 가지는 CYTOP, FG-3650 및 표면개질된 알루미늄산화물 나노 입자 잉크 중 적어도 하나의 물질을 이용하여 다층 구조의 멀티 패시베이션 층을 인쇄하는, 멀티 패시베이션을 이용한 인쇄 전자소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 멀티 패시베이션 층을 인쇄하는 단계는, 상기 인쇄된 인쇄 전자소자 위에 소수성 특성을 가지는 CYTOP을 이용하여 패시베이션 제1층을 형성하는 단계; 상기 형성된 패시베이션 제1층 위에 소수성 특성을 가지는 FG-3650 또는 표면개질된 알루미늄산화물 나노 입자 잉크를 이용하여 패시베이션 제2층을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 패시베이션 제2층 위에 소수성 특성을 가지는 CYTOP을 이용하여 패시베이션 제3층을 형성하는 단계를 포함하는, 멀티 패시베이션을 이용한 인쇄 전자소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 멀티 패시베이션 층을 인쇄하는 단계는, 롤투롤 그라비아(Roll-to-roll gravure), 롤투롤 리버스 옵셋 (Roll-to-roll reverse offset), 플렉소 인쇄(Flexographic Printing), 잉크젯 프린팅 (inkjet printing) 및 스핀코팅 (spin coating) 중에서 어느 하나의 인쇄 공정을 통해 상기 멀티 패시베이션 층을 인쇄하는, 멀티 패시베이션을 이용한 인쇄 전자소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 멀티 패시베이션 층을 인쇄하는 단계는, 상기 인쇄된 인쇄 전자소자의 상부에 다층 구조의 제1 멀티 패시베이션 층을 인쇄하고, 상기 인쇄된 인쇄 전자소자의 하부에 다층 구조의 제2 멀티 패시베이션 층을 인쇄하는, 멀티 패시베이션을 이용한 인쇄 전자소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 멀티 패시베이션 층은, 다층 구조의 배리어막(Barrier film)을 형성하여 상기 인쇄 전자소자를 인캡슐레이션(Encapsulation)하는, 멀티 패시베이션을 이용한 인쇄 전자소자 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 인쇄 전자소자는, 인쇄 공정을 통해 제조된 p-타입 트랜지스터 또는 n-타입 트랜지스터인, 멀티 패시베이션을 이용한 인쇄 전자소자 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 인쇄 전자소자는, 인쇄 공정을 통해 제조된 유기 기반 인쇄 트랜지스터인, 멀티 패시베이션을 이용한 인쇄 전자소자 제조 방법
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제어 전극, 유전체 층, 반도체 층, 제1 전류 전극 및 제2 전류 전극이 인쇄된 인쇄 전자소자; 및 비정질 플루오르폴리머(amorphous fluoropolymer)를 이용하여 상기 인쇄된 인쇄 전자소자를 패시베이션하도록 인쇄되는 다층 구조의 멀티 패시베이션 층을 포함하는, 멀티 패시베이션을 이용한 인쇄 전자소자
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제9항에 있어서, 상기 멀티 패시베이션 층은, 소수성 특성을 가지는 CYTOP, FG-3650 및 표면개질된 알루미늄산화물 나노 입자 잉크 중 적어도 하나의 물질을 이용하여 인쇄되는 다층 구조의 멀티 패시베이션 층인, 멀티 패시베이션을 이용한 인쇄 전자소자
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제9항에 있어서, 상기 멀티 패시베이션 층은, 상기 인쇄된 인쇄 전자소자 위에 소수성 특성을 가지는 CYTOP을 이용하여 형성된 패시베이션 제1층; 상기 형성된 패시베이션 제1층 위에 소수성 특성을 가지는 FG-3650 또는 표면개질된 알루미늄산화물 나노 입자 잉크를 이용하여 형성된 패시베이션 제2층; 및 상기 형성된 패시베이션 제2층 위에 소수성 특성을 가지는 CYTOP을 이용하여 형성된 패시베이션 제3층을 포함하는, 멀티 패시베이션을 이용한 인쇄 전자소자
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제9항에 있어서, 상기 멀티 패시베이션 층은, 롤투롤 그라비아(Roll-to-roll gravure), 롤투롤 리버스 옵셋 (Roll-to-roll reverse offset), 플렉소 인쇄(Flexographic Printing), 잉크젯 프린팅 (inkjet printing) 및 스핀코팅 (spin coating) 중에서 어느 하나의 인쇄 공정을 통해 인쇄되는, 멀티 패시베이션을 이용한 인쇄 전자소자
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제9항에 있어서, 상기 멀티 패시베이션 층은, 상기 인쇄된 인쇄 전자소자의 상부에 인쇄된 다층 구조의 제1 멀티 패시베이션 층; 및 상기 인쇄된 인쇄 전자소자의 하부에 인쇄된 다층 구조의 제2 멀티 패시베이션 층을 포함하는, 멀티 패시베이션을 이용한 인쇄 전자소자
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제9항에 있어서, 상기 멀티 패시베이션 층은, 다층 구조의 배리어막(Barrier film)을 형성하여 상기 인쇄 전자소자를 인캡슐레이션(Encapsulation)하는, 멀티 패시베이션을 이용한 인쇄 전자소자
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제9항에 있어서,상기 인쇄 전자소자는, 인쇄 공정을 통해 제조된 p-타입 트랜지스터 또는 n-타입 트랜지스터인, 멀티 패시베이션을 이용한 인쇄 전자소자
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제9항에 있어서, 상기 인쇄 전자소자는, 인쇄 공정을 통해 제조된 유기 기반 인쇄 트랜지스터인, 멀티 패시베이션을 이용한 인쇄 전자소자
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