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제 1 기판 상에 그래핀을 형성하는 단계;제 2 기판 상에 고분자 전구체 혼합물을 형성하는 단계;상기 고분자 전구체 혼합물이 형성된 제 2 기판에 대향하여 상기 그래핀을 배치하는 단계;상기 고분자 전구체 혼합물을 경화하면서 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 압착시키는 단계 및상기 제 1 기판을 분리하는 단계를 포함하고,상기 고분자 전구체 혼합물이 경화되면서 상기 그래핀이 n형 도핑 되는 것인, 그래핀의 전사 방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 전구체 혼합물은 도펀트 물질 및 경화제를 포함하는 것인, 그래핀의 전사 방법
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제 2 항에 있어서,상기 도펀트 물질은 상기 경화제에 의해 가교(cross-linking)되어 그물구조의 고분자를 형성하는 것인, 그래핀의 전사 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 도펀트 물질은 아민기 함유 고분자 또는 이의 전구체를 포함하는 것인, 그래핀의 전사 방법
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제 2 항에 있어서,상기 고분자 전구체 혼합물은 상기 도펀트 물질 및 상기 경화제를 10:1 내지 1,000:1 의 비율로 포함하는 것인, 그래핀의 전사 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 경화제는 글루탈알데히드, 프로필렌다이알데히드, 부틸다이알데히드, 숙신알데히드, 펜탄-2,4-디온, 아세틸아세톤, 아세토닐아세톤, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 그래핀의 전사 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 경화는 100℃ 내지 200℃ 의 온도 하에서 수행되는 것인, 그래핀의 전사 방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 전구체 혼합물을 형성하는 단계는 스핀 코팅법, 캐스트법, 량뮤어-블로젯법, 잉크젯 프린팅법, 노즐 프린팅법, 슬롯 다이 코팅법, 닥터블레이드 코팅법, 스크린 프린팅법, 딥 코팅법, 그래비어 프린팅법, 리버스 오프센 프린팅법, 물리적 전사법, 스프레이 코팅법, 화학기상증착법, 열증착법, 진공증착법 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 방법에 의해 수행되는 것인, 그래핀의 전사 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 기판 상에 그래핀을 형성하는 단계는 제 1 기판 상에 금속 촉매를 형성하고, 기상 탄소 공급원을 투입하면서 열처리하여 수행되는 것인, 그래핀의 전사 방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 기판은 유리, 플라스틱, 실리콘, 사파이어, 질화물 및 이들의 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 기판을 포함하는 것인, 그래핀의 전사 방법
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제 9 항에 있어서,상기 촉매는 Cu, Ni, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Zn, Al, Ti, Si, Mg, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Rf, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것, 그래핀의 전사 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 기상 탄소 공급원은 메탄, 에탄, 에틸렌, 일산화탄소, 에탄올, 아세틸렌, 프로판, 프로필렌, 부탄, 부타디엔, 펜탄, 펜렌, 사이클로펜타디엔, 헥산, 사이클로헥산, 벤젠, 톨루엔 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 그래핀의 전사 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 기판은 폴리에틸렌나프탈레이트, 실리콘, 폴리이미드폴리카보네이트, 폴리노르보넨, 폴리아크릴레이트, 폴리비닐알콜, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리스타일렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리염화비닐, 폴리아미드, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리디메틸실록산, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 그래핀의 전사 방법
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삭제
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제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 그래핀 전사 방법에 의해 전사된 그래핀을 포함하는 유연 투명전극
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