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고효율 태양전지

  • 기술번호 : KST2021011945
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고효율의 태양전지 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 태양전지(100)는 기판(110), 기판(110) 상에 형성된 경사 식각 프로파일을 갖는 패턴층(120), 패턴층(120) 상에 형성된 반도체층(130), 반도체층(130) 상에 형성된 투명 전도층(140), 및 전극(150, 160)을 포함한다. 본 발명에 따르면, 피드미드형, 콘형의 요철 패턴층(120)을 기판(110) 상에 형성하여 태양광의 흡수 효율을 향상시킴으로써 고효율의 태양전지를 제조할 수 있다. 태양전지, 요철
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01)
출원번호/일자 1020070096966 (2007.09.21)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0937140-0000 (2010.01.08)
공개번호/일자 10-2009-0031117 (2009.03.25) 문서열기
공고번호/일자 (20100115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.21)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이헌 대한민국 서울특별시 노원구
2 김동환 대한민국 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 가이아에너지 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0690364-98
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.08.22 수리 (Accepted) 9-1-2008-0053938-64
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.04.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0148514-42
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0321743-14
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.05.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0321761-25
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0388527-08
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2009.10.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0052135-16
11 등록결정서
Decision to grant		 2009.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0523372-07
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
기판; 상기 기판 상에 형성된 경사 식각 프로파일을 갖는 실리콘 산화물로 이루어진 패턴층; 상기 패턴층 상에 형성된 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 형성된 투명 전도층 을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
3 3
제2항에 있어서, 상기 기판은 다결정 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
4 4
삭제
5 5
제2항에 있어서, 상기 패턴층의 형상은 피라미드형, 콘형을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
6 6
제2항에 있어서, 상기 반도체층은 n형으로 도핑된 비정질 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
7 7
제2항에 있어서, 상기 투명 전도층은 ITO, ZnO를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
8 8
기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 경사 식각 프로파일을 갖는 실리콘 산화물로 이루어진 패턴층을 형성하는 단계; 상기 패턴층 상에 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 반도체층 상에 형성된 투명 전도층을 형성하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 패턴층의 형상은 피라미드형, 콘형을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 패턴층을 형성하는 방법은 등방성 식각법을 포함하는 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.