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전기 도금법을 이용하여 형성되고, 텅스텐의 함량에 따라 결정 구조가 제어되며, 어닐링을 통해 전기 비저항이 감소된 코발트-텅스텐 합금 나노선
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제1항에 있어서,상기 어닐링을 통해 코발트-텅스텐 금속간 화합물(intermetallic compound)이 형성되어, 상기 전기 비저항이 감소되는 것을 특징으로 하는 코발트-텅스텐 합금 나노선
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제1항에 있어서,상기 금속간 화합물은 XRD(x-ray diffraction) 분석시, 40
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제1항에 있어서,상기 어닐링은 25 ℃ 내지 600 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는코발트-텅스텐 합금 나노선
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제1항에 있어서,상기 텅스텐의 함량이 25
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제1항에 있어서,상기 텅스텐의 함량이 15
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제1항에 있어서,상기 텅스텐의 전구체 농도 및 전류 밀도(current density) 중 적어도 하나를 조절하여 상기 텅스텐의 함량이 제어되는 것을 특징으로 하는 코발트-텅스텐 합금 나노선
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제1항에 있어서,전구체인 황산코발트·7수화물(cobalt sulfate heptahydrate, CoSO4·7H2O) 및 텅스텐산나트륨·7수화물(sodium tungstate dihydrate, Na2WO4·7H2O)을 포함하는 탈온수 기반의 용액을 이용하는 상기 전기 도금법을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는코발트-텅스텐 합금 나노선
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제8항에 있어서,상기 탈온수 기반의 용액은 완충제인 붕산(boric acid, H3BO3) 및 시트르산(citric acid, C6H8O7)과 첨가제인 시트르산 나트륨(sodium citrate tribasic dihydrate, C6H7Na3O8)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는코발트-텅스텐 합금 나노선
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제1항에 있어서,반도체 소자의 BEOL(back end of line) 층에 구비된 비아(via), 컨택(contact) 및 금속 배선층(metal line) 중 적어도 하나에 배리어(barrier) 및 라이너(liner) 중 적어도 하나로 적용되는 것을 특징으로 하는 코발트-텅스텐 합금 나노선
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제10항에 있어서,상기 금속 배선층의 금속층 상에 형성되는 상기 배리어 및 상기 라이너로 적용되는 것을 특징으로 하는 코발트-텅스텐 합금 나노선
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나노 템플릿 상에 전기 도금법을 이용하여 코발트-텅스텐(Co-W) 합금 나노선을 형성하는 단계 및 상기 형성된 합금 나노선을 어닐링하는 단계를 포함하고, 상기 합금 나노선을 형성하는 단계는, 텅스텐의 함량에 따라 상기 합금 나노선의 결정 구조가 제어되는 것을 특징으로 하는 코발트-텅스텐 합금 나노선의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 어닐링하는 단계는, 상기 어닐링을 통해 코발트-텅스텐 금속간 화합물(intermetallic compound)을 형성하여, 전기 비저항을 감소시키는 것을 특징으로 하는코발트-텅스텐 합금 나노선의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 어닐링하는 단계는, 25 ℃ 내지 600 ℃의 온도에서 어닐링을 수행하는 것을 특징으로 하는코발트-텅스텐 합금 나노선의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 합금 나노선을 형성하는 단계는,상기 텅스텐의 함량을 25
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제12항에 있어서,상기 합금 나노선을 형성하는 단계는,상기 텅스텐의 함량을 15
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제12항에 있어서,상기 합금 나노선을 형성하는 단계는, 코발트와 상기 텅스텐의 동시 환원을 위해 1
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제12항에 있어서,상기 합금 나노선을 형성하는 단계는, 상기 텅스텐의 전구체 농도를 0
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제12항에 있어서,상기 나노 템플릿은 폴리카보네트 맴브레인(polycarbonate membrane, PCM) 또는 양극산화알루미늄(anodic aluminum oxide, AAO)을 포함하고, 적어도 하나 이상의 나노 다공성 트랙이 형성되는 것을 특징으로 하는 코발트-텅스텐 합금 나노선의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 나노 템플릿으로부터 상기 어닐링된 합금 나노선을 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 코발트-텅스텐 합금 나노선의 제조 방법
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