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기판 위에 배치된 제1 전극;상기 기판 위에 배치되며 상기 제1 전극과 이격되는 제2 전극; 및상기 기판 위에 배치되며 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 접촉하며 가스 감응 물질을 포함하는 쉘들의 3차원 배열에 의한 다공성 구조를 갖는 감응 부재를 포함하고,상기 감응 부재의 두께는 5 내지 10㎛이고, 상기 쉘의 두께는 10 내지 40nm인 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제1항에 있어서, 상기 가스 감응 물질은 금속 산화물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제2항에 있어서, 상기 금속 산화물 반도체는 SnO2, ZnO, WO3, Fe2O3, Fe3O4, NiO, TiO2, CuO, In2O3, Zn2SnO4, Co3O4, PdO, LaCoO3, NiCo2O4, Ca2Mn3O8, V2O5, Ag2V4O11, Ag2O, MnO2, InTaO4, InTaO4, CaCu3Ti4O12, Ag3PO4, BaTiO3, NiTiO3, SrTiO3, Sr2Nb2O7, Sr2Ta2O7 및 Ba0
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제1항에 있어서, 상기 감응 부재의 기공률은 90% 이상인 것을 특징으로 하는 가스 센서
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제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 가스 센서; 및상기 가스 센서에 광을 조사하여 상기 감응 부재를 활성화하는 광원을 포함하는 감지 시스템
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기판 위에 배치되며 서로 이격되는 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 간극을 중첩하고 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 부분적으로 중첩하는 개구부를 갖는 접착막을 형성하는 단계;상기 접착막, 상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 기판 위에 포토레지스트막을 형성하는 단계;상기 포토레지스트막에 3차원 분포 광을 제공하여, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 간극을 중첩하고 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 부분적으로 중첩하는 제1 영역에서 3차원 다공성 구조를 형성하고, 상기 제1 영역에 인접한 제2 영역에서 기공이 없는 솔리드 구조를 형성하는 단계;상기 3차원 다공성 구조에 가스 감응 물질을 제공하여 3차원 나노 쉘 구조를 형성하는 단계; 및상기 3차원 다공성 구조 및 상기 솔리드 구조를 제거하는 단계를 포함하는 가스 센서의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 감응 부재의 두께는 5 내지 10㎛이고, 상기 쉘의 두께는 10 내지 40nm인 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 가스 감응 물질은 금속 산화물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 금속 산화물 반도체는 SnO2, ZnO, WO3, Fe2O3, Fe3O4, NiO, TiO2, CuO, In2O3, Zn2SnO4, Co3O4, PdO, LaCoO3, NiCo2O4, Ca2Mn3O8, V2O5, Ag2V4O11, Ag2O, MnO2, InTaO4, InTaO4, CaCu3Ti4O12, Ag3PO4, BaTiO3, NiTiO3, SrTiO3, Sr2Nb2O7, Sr2Ta2O7 및 Ba0
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제6항에 있어서, 상기 3차원 다공성 구조 및 상기 솔리드 구조를 형성하는 단계는,상기 포토레지스트막의 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 위에 위상 마스크를 배치하는 단계;상기 위상 마스크를 통해 3차원 분포 광을 제공하는 1차 노광 단계; 상기 위상 마스크를 제거하는 단계;상기 제1 영역 위에 차광 마스크를 제공하는 단계;상기 제2 영역에 선택적으로 광을 제공하는 2차 노광 단계; 및상기 포토레지스트막에 현상액을 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 3차원 다공성 구조 및 상기 솔리드 구조를 형성하는 단계는,상기 포토레지스트막의 상기 제1 영역 위에 위상 마스크를 제공하는 단계;상기 위상 마스크가 배치된 제1 영역 및 상기 위상 마스크가 배치되지 않는 제2 영역을 노광하는 단계; 및상기 포토레지스트막에 현상액을 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조 방법
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