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이산화티탄층의 물에 대한 습윤성을 조정하는 방법

  • 기술번호 : KST2015119296
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이산화티탄층을 나노구조화하여 이산화티탄층의 친수성을 높이고 또한 나노구조화된 이산화티탄층을 실란층으로 코팅하여 이산화티탄층의 소수성을 높임으로써 이산화티탄층의 물에 대한 습윤성을 조정하는 방법에 관한 것이다.본 발명의 이산화티탄층의 물에 대한 습윤성을 조정하는 방법은, a) 기판 상에 이산화티탄층을 형성하는 단계; b) 상기 이산화티탄층 상부에 실리카 입자층을 형성하는 단계; c) 상기 b)단계에서 제조된 적층체의 표면을 에칭시키는 단계; 및 d) 상기 c)단계에서 에칭되고 잔류된 실리카 입자층을 제거하여 나노구조화된 이산화티탄층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) C01G 23/047 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120098413 (2012.09.05)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1447531-0000 (2014.09.29)
공개번호/일자 10-2014-0031730 (2014.03.13) 문서열기
공고번호/일자 (20141008) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.05)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정영 미국 대전 유성구
2 이영근 대한민국 대전광역시 유성구
3 반 뜨렁 니아 베트남 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0718135-57
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0035782-89
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0906289-60
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0200084-36
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0296388-83
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0365660-05
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2014.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0656662-33
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.09.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0610051-37
11 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2014.09.29 수리 (Accepted) 2-1-2014-0533222-41
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 기판 상에 이산화티탄층을 형성하는 단계;b) 상기 이산화티탄층 상부에 실리카 입자층을 형성하는 단계;c) 상기 b)단계에서 제조된 적층체의 표면을 에칭시키는 단계; 및d) 상기 c)단계에서 에칭되고 잔류된 실리카 입자층을 제거하여 나노구조화된 이산화티탄층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이산화티탄층의 물에 대한 습윤성을 조정하는 방법
2 2
청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
3 3
제1항에 있어서, 상기 b)단계에서 실리카 입자층은 랭뮤어-블로드젯 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 이산화티탄층의 물에 대한 습윤성을 조정하는 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 랭뮤어-블로드젯 공정에서 실리카 입자층의 표면압은 10~12 mN/m인 것을 특징으로 하는 이산화티탄층의 물에 대한 습윤성을 조정하는 방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 실리카 입자층은 자가-조립 단분자층인 것을 특징으로 하는 이산화티탄층의 물에 대한 습윤성을 조정하는 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 c)단계에서 에칭은 ICP 에칭법, 플라즈마 에칭법 또는 반응이온 에칭법에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 이산화티탄층의 물에 대한 습윤성을 조정하는 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 에칭은 10 내지 40초 동안 행해지는 것을 특징으로 하는 이산화티탄층의 물에 대한 습윤성을 조정하는 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 d)단계 후에 상기 나노구조화된 이산화티탄층 상부에 실란층을 형성하여 소수성을 증가시키는 것을 특징으로 하는 이산화티탄층의 물에 대한 습윤성을 조정하는 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 실란층은 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로옥틸트리클로로실란(1H,1H,2H,2H-perfluorooctyltrichlorosilane), 옥타데실트리클로로실란(octadecyltrichlorosilane), (트리데칸플루오로-1,1,2,2-테트라히드로옥틸)-1-트리클로로실란((tridecanfluoro-1,1,2,2-tetrahydrooctyl)-1-trichlorosilane), 3,3,3-트리플루오로프로필-트리클로로실란(3,3,3-trifluoropropyl-trichlorosilane) 및 도데실트리클로로실란(dodecyltrichlorosilane)으로 이루어지는 군에서 적어도 하나 이상 선택되는 실란으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이산화티탄층의 물에 대한 습윤성을 조정하는 방법
10 10
기판 위에 균일하게 배열된 나노콘 어레이 형상의 이산화티탄층을 갖는 이산화티탄 구조체
11 11
제10항에 있어서, 상기 이산화티탄층 상부에 실란층이 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 이산화티탄 구조체
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1 US20140065362 US 미국 FAMILY

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1 교육과학기술부 한국과학기술원 중견연구자지원사업(도전) 핫전자 물리 및 화학의 연구