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전기에너지 발생을 위한 에너지 하베스팅 시스템에 있어서, 제 1 기판;상기 제 1 기판 상에 형성된 페로브스카이트 층;상기 페로브스카이트 층 상에 배치되고, 상기 페로브스카이트 층과 분리 가능한 전하수송층; 및상기 전하수송층 상에 형성된 제 2 기판을 포함하는,에너지 하베스팅 시스템
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제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트 층 및 상기 전하수송층은 PN 접합을 형성하는 것인, 에너지 하베스팅 시스템
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제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트 층 및 상기 전하수송층이 서로 슬라이딩함에 따라 발생하는 마찰에 의해 전기 에너지가 발생하는 것인, 에너지 하베스팅 시스템
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제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트 층 및 상기 전하수송층 상에 수직으로 가해지는 압력에 의해 전기 에너지가 발생하는 것인, 에너지 하베스팅 시스템
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제 4 항에 있어서, 상기 페로브스카이트 층 및 상기 전하수송층 상에 수직으로 가해지는 압력에 의해 상기 페로브스카이트의 결정 구조가 변화하여 전기 에너지가 발생하는 것인, 에너지 하베스팅 시스템
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제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트 층은 하기 화학식 1 또는 화학식 2 로 표시되는 물질을 포함하는 것인, 에너지 하베스팅 시스템:[화학식 1]ABX3[화학식 2]A2BX4(상기 화학식 1 및 화학식 2 에서,상기 A 는 C1-24 의 치환된 또는 비치환된 알킬기이고, 상기 A 가 치환된 경우, 그 치환기는 아미노기, 수산화기, 시아노기, 할로겐기, 니트로기 또는 메톡시기이고,상기 B 는 Pb, Bi, Sn, Ge, Cu, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, Pd, Cd, Yb, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하는 것이고,상기 X 는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것임)
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제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트 층 및 상기 전하수송층의 일함수 차에 따라 발생하는 전기 에너지의 양이 조절되는 것인, 에너지 하베스팅 시스템
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제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트 층의 두께에 따라 발생하는 전기 에너지의 양이 조절되는 것인, 에너지 하베스팅 시스템
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 기판 및 제 2 기판은 각각 독립적으로 유리, SiO2, ITO, FTO, Si, SiO2, SiC, Ga, SiGe, Al2O3, InAs, GaAs, InP, GaN, InGaAs, InAlAs, GaSb, AlSb, AlP, GaP, Ge2O3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 에너지 하베스팅 시스템
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제 1 항에 있어서,상기 전하수송층은 Spiro-OMeTAD, PEDOT:PSS, G-PEDOT, PANI:PSS, PANI:CSA, PDBT, P3HT, PCPDTBT, PCDTBT, PTAA, MoO3, V2O5, NiO, WO3, CuI, CuSCN, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 에너지 하베스팅 시스템
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제 1 기판 상에 페로브스카이트 층을 형성하는 단계; 제 2 기판 상에 전하수송층을 형성하는 단계 및상기 페로브스카이트 층 상에 상기 전하수송층을 배치하는 단계;를 포함하는,에너지 하베스팅 시스템의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 페로브스카이트 층을 형성하는 단계는 스핀코팅, 바코팅, 잉크젯 프린팅, 노즐 프린팅, 스프레이 코팅, 슬롯다이코팅, 그라비아 프린팅, 스크린 프린팅, 전기수력학적 제트 프린팅, 전기분무, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 방법에 의해 형성되는 것인, 에너지 하베스팅 시스템의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 전하수송층을 형성하는 단계는 스핀코팅, 바코팅, 잉크젯 프린팅, 노즐 프린팅, 스프레이 코팅, 슬롯다이코팅, 그라비아 프린팅, 스크린 프린팅, 전기수력학적 제트 프린팅, 전기분무, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 방법에 의해 형성되는 것인, 에너지 하베스팅 시스템의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 에너지 하베스팅 시스템을 포함하는, 페로브스카이트 태양전지
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