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기판 상에 배치되고 고정 자성층, 자유 자성층, 및 상기 고정 자성층과 상기 자유 자성층 사이에 개재된 터널절연층 또는 비자성 도전층을 포함하는 복수의 자기 저항 셀들;을 포함하는 물리적 복제 방지 기능 자기 소자의 동작 방법에 있어서,상기 복수의 자기 저항 셀에 시간에 따라 감쇄하는 외부 자기장을 인가하여 복수의 자기 저항 셀들의 자유 자성층의 자화 방향을 랜덤화하고,상기 외부 자기장은 상기 자유 자성층의 자화 용이축을 포함하는 평면 내에서 시간에 따라 회전 주파수(f)로 회전하고,상기 외부 자기장의 세기는 시간에 따라 감쇄 상수를 가지고 지수 함수적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 물리적 복제 방지 기능 자기 메모리 소자의 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 회전 주파수(f)는 수 십 Hz 내지 수 백 Hz이고,상기 감쇄 상수는 상기 회전 주파수의 역수(1/f)보다 큰 것을 특징으로 하는 물리적 복제 방지 기능 자기 메모리 소자의 동작 방법
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제1 항에 있어서,상기 회전 주파수(f)는 120 Hz이고,상기 감쇄 상수는 1 sec인 것을 특징으로 하는 물리적 복제 방지 기능 자기 메모리 소자의 동작 방법
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기판 상에 배치되고 고정 자성층, 자유 자성층, 및 상기 고정 자성층과 상기 자유 자성층 사이에 개재된 터널절연층 또는 비자성 도전층을 포함하는 복수의 자기 저항 셀들;을 포함하는 물리적 복제 방지 기능 자기 소자의 동작 방법에 있어서,상기 복수의 자기 저항 셀에 시간에 따라 감쇄하는 외부 자기장을 인가하여 복수의 자기 저항 셀들의 자유 자성층의 자화 방향을 랜덤화하고,상기 외부 자기장의 세기는 감쇄 상수를 가지고 시간에 따라 지수 함수적으로 감소하고,상기 기판은 상기 자유 자성층의 자화 용이축 방향과 상기 외부 자기장에 의하여 정의된 평면에 수직한 회전축을 중심으로 일정한 주파수로 회전하는 것을 특징으로 하는 물리적 복제 방지 기능 기능 자기 메모리 소자의 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 고정 자성층 및 상기 자유 자성층은 막면에 수직 방향으로 자화된 것을 특징으로 하는 물리적 복제 방지 기능 자기 메모리 소자의 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 고정 자성층 및 상기 자유 자성층은 막면에 수평 방향으로 자화된 것을 특징으로 하는 물리적 복제 방지 기능 자기 메모리 소자의 동작 방법
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기판 상에 배치되고 고정 자성층, 자유 자성층, 및 상기 고정 자성층과 상기 자유 자성층 사이에 개재된 터널절연층 또는 비자성 도전층을 포함하는 복수의 자기 저항 셀들;을 포함하는 물리적 복제 방지 기능 자기 소자의 동작 방법에 있어서,상기 복수의 자기 저항 셀에 시간에 따라 감쇄하는 외부 자기장을 인가하여 복수의 자기 저항 셀들의 자유 자성층의 자화 방향을 랜덤화하고,상기 외부 자기장을 인가하는 자기장 인가부는; 일정한 방향의 외부 자기장을 시간에 따라 그 세기를 감소시키는 전자석;상기 기판을 지지하고 상기 기판을 회전시키는 모터; 상기 전자석에 흐르는 전류를 제어하고 상기 모터를 제어하는 제어부; 및상기 기판과 상기 모터의 회전축을 연결시키고 상기 기판을 지지하는 기판 회전부를 포함하는 것을 특징으로 하는 물리적 복제 방지 기능 자기 메모리 소자의 동작 방법
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기판 상에 배치되고 고정 자성층, 자유 자성층, 및 상기 고정 자성층과 상기 자유 자성층 사이에 개재된 터널절연층 또는 비자성 도전층을 포함하는 복수의 자기 저항 셀들;을 포함하는 물리적 복제 방지 기능 자기 소자의 동작 방법에 있어서,상기 복수의 자기 저항 셀에 시간에 따라 감쇄하는 외부 자기장을 인가하여 복수의 자기 저항 셀들의 자유 자성층의 자화 방향을 랜덤화하고,상기 외부 자기장을 인가하는 자기장 인가부는; 제1 방향의 제1 자기장을 형성하는 제1 전자석;상기 제1 방향과 수직한 제2 방향의 제2 자기장을 형성하는 제2 전자석; 및상기 제1 자기장과 상기 제2 자기장의 벡터 합인 외부 자기장을 상기 제1 방향과 상기 제2 방향에 의하여 정의된 평면에서 시간에 따라 감소하면서 회전하도록 상기 제1 전자석과 상기 제2 전자석에 흐르는 전류를 제어하는 제어부를 포함하고,상기 제1 방향과 상기 제2 방향에 의하여 정의된 평면은 상기 자유 자성층의 자화 용이축을 포함하는 평면인 것을 특징으로 하는 물리적 복제 방지 기능 자기 메모리 소자의 동작 방법
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제1 방향의 제1 자기장을 형성하는 제1 전자석;상기 제1 방향과 수직한 제2 방향의 제2 자기장을 형성하는 제2 전자석; 및상기 제1 자기장과 상기 제2 자기장의 합인 외부 자기장이 상기 제1 방향과 상기 제2 방향에 의하여 정의된 평면에서 시간에 따라 감소하면서 회전하도록 상기 제1 전자석과 상기 제2 전자석에 흐르는 전류를 제어하는 제어부를 포함하고,물리적 복제 방지 기능 자기 소자는 복수의 터널 접합 셀들을 포함하고,상기 외부 자기장은 복수의 터널 접합 단위셀들의 자유 자성층의 자화 방향을 랜덤화하고,상기 제1 방향과 상기 제2 방향에 의하여 정의된 평면은 상기 자유 자성층의 자화 용이축을 포함하는 평면인 것을 특징으로 하는 물리적 복제 방지 기능 자기 메모리 소자에 정보를 기록하는 장치
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일정한 방향의 외부 자기장을 시간에 따라 그 세기를 감소시키는 전자석;기판을 지지하고 상기 기판을 회전시키는 모터;상기 전자석에 흐르는 전류를 제어하고 상기 모터를 제어하는 제어부; 및상기 기판을 장착하고 상기 모터의 회전축을 연결시키는 기판 회전부를 포함하고,물리적 복제 방지 기능 자기 메모리 소자는 상기 기판 상에 배치된 복수의 터널 접합 셀들을 포함하고,상기 외부 자기장은 복수의 터널 접합 단위셀들의 자유 자성층의 자화 방향을 랜덤화하고,상기 기판은 상기 자유 자성층의 자화 용이축 방향과 상기 외부 자기장에 의하여 정의된 평면에 수직한 회전축을 중심으로 일정한 주파수(f)로 회전하는 것을 특징으로 하는 물리적 복제 방지 기능 자기 메모리 소자에 정보를 기록하는 장치
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