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극성 분자 박막을 포함하는 이차원 나노물질 트랜지스터 및 극성 분자 박막을 이용한 이차원 나노물질 트랜지스터의 문턱 전압 제어 방법

  • 기술번호 : KST2022005573
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 극성 분자 박막을 포함하는 이차원 나노물질 트랜지스터는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 배치되는 절연층, 상기 절연층 상에 배치되고 이차원 나노물질을 포함하는 채널층, 상기 게이트 전극 및 상기 채널층과 중첩되는 드레인 전극, 상기 게이트 전극 및 상기 채널층과 중첩되고 상기 드레인 전극과 이격되는 소스 전극 및 상기 채널층 상에 배치되는 극성 분자 박막을 포함한다. 상기 극성 분자 박막은 플루오린이 결착된 헥사벤조코로넨(F-HBC)을 포함한다.
Int. CL H01L 51/05 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 29/24 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0562(2013.01) H01L 51/0545(2013.01) H01L 51/0057(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/24(2013.01)
출원번호/일자 1020200151340 (2020.11.12)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0064814 (2022.05.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.12)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전대영 전라북도 완주군
2 이태윤 전라북도 완주군
3 김윤정 전라북도 완주군
4 안석훈 전라북도 완주군
5 이동수 전라북도 완주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)
2 김민태 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2020-1214497-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2021.04.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2021.06.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0079756-94
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 배치되는 절연층;상기 절연층 상에 배치되고 이차원 나노물질을 포함하는 채널층;상기 게이트 전극 및 상기 채널층과 중첩되는 드레인 전극; 상기 게이트 전극 및 상기 채널층과 중첩되고 상기 드레인 전극과 이격되는 소스 전극; 및상기 채널층 상에 배치되는 극성 분자 박막을 포함하고,상기 극성 분자 박막은 플루오린이 결착된 헥사벤조코로넨(F-HBC)을 포함하는 것을 특징으로 하는 극성 분자 박막을 포함하는 이차원 나노물질 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서, 상기 극성 분자 박막은 아래 화학식을 포함하는 것을 특징으로 하는 극성 분자 박막을 포함하는 이차원 나노물질 트랜지스터
3 3
제2항에 있어서, 상기 채널층은 WSe2를 포함하는 것을 특징으로 하는 극성 분자 박막을 포함하는 이차원 나노물질 트랜지스터
4 4
제2항에 있어서, 상기 채널층은 MoS2를 포함하는 것을 특징으로 하는 극성 분자 박막을 포함하는 이차원 나노물질 트랜지스터
5 5
제1항에 있어서, 상기 극성 분자 박막은 상기 드레인 전극, 상기 소스 전극 및 상기 채널층 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 극성 분자 박막을 포함하는 이차원 나노물질 트랜지스터
6 6
제1항에 있어서, 상기 극성 분자 박막은 상기 드레인 전극 및 상기 소스 전극 상에 배치되지 않는 것을 특징으로 하는 극성 분자 박막을 포함하는 이차원 나노물질 트랜지스터
7 7
게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 이차원 나노물질을 포함하는 채널층을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 및 상기 채널층과 중첩되는 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 및 상기 채널층과 중첩되고 상기 드레인 전극과 이격되는 소스 전극을 형성하는 단계; 및상기 채널층 상에 극성 분자 박막의 두께를 조절하여 형성하는 단계를 포함하고, 상기 극성 분자 박막은 플루오린이 결착된 헥사벤조코로넨(F-HBC)을 포함하는 것을 특징으로 하는 극성 분자 박막을 이용한 이차원 나노물질 트랜지스터의 문턱 전압 제어 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 극성 분자 박막은 아래 화학식을 포함하는 것을 특징으로 하는 극성 분자 박막을 이용한 이차원 나노물질 트랜지스터의 문턱 전압 제어 방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 극성 분자 박막은 상기 드레인 전극, 상기 소스 전극 및 상기 채널층 상에 코팅되는 것을 특징으로 하는 극성 분자 박막을 이용한 이차원 나노물질 트랜지스터의 문턱 전압 제어 방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 극성 분자 박막은 상기 드레인 전극 및 상기 소스 전극 상에 배치되지 않는 것을 특징으로 하는 극성 분자 박막을 이용한 이차원 나노물질 트랜지스터의 문턱 전압 제어 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 나노·소재기술개발(R＆D) 유무기 하이브리드 기반소재의 열/전하 극한수송특성 측정/분석기술 개발