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실리콘 기판을 준비하는 제1 단계;상기 실리콘 기판 상에 마스크층을 제공하는 제2 단계;상기 실리콘 기판과 상기 마스크층을 포함하는 적층체에 대해 이방성 식각을 수행하여, 상기 실리콘 기판의 두께 방향으로 교번적으로 적층된 복수 개의 돌출부 및 지지부를 포함하는 식각 적층체를 제공하는 제3 단계; 및상기 식각 적층체를 산화시켜 상기 돌출부의 적어도 일부 영역에 실리콘 나노와이어를 제공하는 제4 단계를 포함하는, 실리콘 나노와이어 어레이의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제3 단계에서 상기 실리콘 기판의 두께 방향과 평행한 제1 방향으로의 식각률이 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로의 식각률보다 큰, 실리콘 나노와이어 어레이의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 제2 방향으로의 식각은 상기 적층체의 상기 제1 방향 상의 위치에 따라 다르게 수행되어 상기 실리콘 기판의 두께 방향으로 교번적으로 적층된 돌출부 및 지지부를 형성하는, 실리콘 나노와이어 어레이의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제3 단계는 등방성 실리콘 식각 단계; 고분자 증착 단계; 고분자 식각 단계를 포함하는, 실리콘 나노와이어 어레이의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 제3 단계에서 등방성 실리콘 식각 단계; 고분자 증착 단계; 고분자 식각 단계는 각각 복수 번 수행되어, 상기 실리콘 기판의 두께 방향으로 교번적으로 적층된 복수 개의 돌출부 및 지지부가 형성되는, 실리콘 나노와이어 어레이의 제조 방법
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제1항에 있어서,제4 단계 수행 후 상기 지지부는 전체가 산화되고,상기 돌출부는 중심 영역을 제외한 영역이 산화되어, 상기 돌출부의 중심에 상기 실리콘 나노와이어가 제공되는, 실리콘 나노와이어 어레이의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 단계는상기 실리콘 기판 상에 산화물층을 제공하는 단계;상기 산화물층 상에 포토레지스트 층을 형성하고 패터닝하는 단계; 및패터닝된 상기 포토레지스트 층과 상기 산화물층에 대해 식각 공정을 수행하여 상기 마스크층을 제공하는 단계를 포함하는, 실리콘 나노와이어 어레이의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 실리콘 기판은 p-type(111) 배열된 단결정 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는, 실리콘 나노와이어 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 마스크층은 실리콘 산화물(SiO2)인 것을 특징으로 하는, 실리콘 나노와이어 어레이의 제조방법
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실리콘 산화물을 포함하는 복수 개의 지지부;상기 지지부 상에 제공된 복수 개의 돌출부; 및상기 돌출부의 내부에 제공된 실리콘 나노와이어를 포함하고,복수 개의 상기 지지부 및 상기 돌출부는 제1 방향으로 교번적으로 적층되어 제공되는, 실리콘 나노와이어 어레이
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11
제10항에 있어서,복수 개의 상기 지지부 및 상기 돌출부가 제1 방향으로 교번적으로 적층되어 형성하는 식각 적층체는 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 복수 개 제공되는, 실리콘 나노와이어 어레이
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