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3차원 플래시 메모리에서의 수직 홀 불량 개선 방법에 있어서,기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 희생층들 및 상기 복수의 희생층들을 관통하도록 상기 기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 수직 홀을 포함하는 반도체 구조체에서, 상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에 발생된 스파이크가 채워지도록 상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에 희생막을 증착하는 단계; 및 상기 스파이크에 증착된 상기 희생막을 유지하는 가운데, 상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에서 상기 스파이크를 제외한 영역에 증착된 상기 희생막을 제거하는 단계를 포함하는 수직 홀 불량 개선 방법
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제1항에 있어서,상기 희생막은, 상기 복수의 희생층들과 동일한 물질인 것을 특징으로 하는 수직 홀 불량 개선 방법
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에 상기 희생막을 증착하는 단계는, 상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에서 상기 스파이크가 발생된 영역을 파악하는 단계; 및 상기 스파이크가 발생된 영역을 파악한 결과 상기 스파이크가 상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에서 상기 복수의 희생층들에 대응하는 영역에 발생된 경우, 상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에 상기 희생막을 증착하도록 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 홀 불량 개선 방법
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에 상기 희생막을 증착하는 단계는, 상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에서 상기 스파이크가 발생된 영역을 파악하는 단계; 및 상기 스파이크가 발생된 영역을 파악한 결과 상기 스파이크가 상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에서 상기 복수의 희생층들에 대응하는 영역에 발생되지 않은 경우, 상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에 상기 희생막을 증착하지 않도록 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 홀 불량 개선 방법
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수직 홀 불량을 개선하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법에 있어서,기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 희생층들 및 상기 복수의 희생층들을 관통하도록 상기 기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 수직 홀을 포함하는 반도체 구조체에서, 상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에 발생된 스파이크가 채워지도록 상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에 희생막을 증착하는 단계; 상기 스파이크에 증착된 상기 희생막을 유지하는 가운데, 상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에서 상기 스파이크를 제외한 영역에 증착된 상기 희생막을 제거하는 단계; 상기 희생막이 제거된 상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에 전하 저장층을 증착하는 단계; 상기 반도체 구조체에서 상기 복수의 희생층들을 제거하는 단계; 및 상기 복수의 희생층들이 제거된 공간에 복수의 워드 라인들을 형성하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 희생막은, 상기 복수의 희생층들과 동일한 물질인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 복수의 희생층들을 제거하는 단계는, 상기 스파이크에 증착된 상기 희생막을 상기 복수의 희생층들과 함께 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에 상기 희생막을 증착하는 단계는, 상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에서 상기 스파이크가 발생된 영역을 파악하는 단계; 및 상기 스파이크가 발생된 영역을 파악한 결과 상기 스파이크가 상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에서 상기 복수의 희생층들에 대응하는 영역에 발생된 경우, 상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에 상기 희생막을 증착하도록 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에 상기 희생막을 증착하는 단계는, 상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에서 상기 스파이크가 발생된 영역을 파악하는 단계; 및 상기 스파이크가 발생된 영역을 파악한 결과 상기 스파이크가 상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에서 상기 복수의 희생층들에 대응하는 영역에 발생되지 않은 경우, 상기 적어도 하나의 수직 홀의 내벽에 상기 희생막을 증착하지 않도록 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 홀 불량 개선 방법
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제5항에 있어서,상기 전하 저장층의 내부에 채널층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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