| 1 |
1
일산화질소를 선택적으로 감지하는 가스센서의 제조방법으로서, 기판 상에 아미노실란층을 흡착시키는 단계, 상기 아미노실란층이 흡착된 기판 상에 단일벽 탄소나노튜브 (SWCNT, singe-walled carbon nanotube)를 흡착시키는 단계, 상기 단일벽 탄소나노튜브를 급속 열처리 (rapid thermal annealing treatment) 하여 결함을 갖는 단일벽 탄소나노튜브를 제조하는 단계 및상기 단일벽 탄소나노튜브가 흡착된 기판 상에 en-APTAS를 흡착시키는 단계를 포함하는 일산화질소를 선택적으로 감지하는 가스센서의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 급속 열 처리는 400℃ 내지 800℃ 미만에서 수행되는 것인 가스센서의 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 급속 열 처리는 700℃ 내지 750℃에서 수행되는 것인 가스센서의 제조방법
|
| 4 |
4
제2항에 있어서, 상기 급속 열 처리는 아르곤 기체 존재 하에서 수행되는 것인 가스센서의 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 en-APTAS는 상기 단일벽 탄소나노튜브의 내벽 및 외벽에 모두 흡착하는 것인 가스센서의 제조방법
|
| 6 |
6
일산화질소를 선택적으로 감지하는 가스센서를 포함하는 체외진단기기의 제조방법으로서, 기판 상에 아미노실란층을 흡착시키는 단계, 상기 아미노실란층이 흡착된 기판 상에 상기 단일벽 탄소나노튜브를 흡착시키는 단계,상기 단일벽 탄소나노튜브를 급속 열처리하여 결함을 갖는 단일벽 탄소나노튜브를 제조하는 단계, 및상기 단일벽 탄소나노튜브가 흡착된 기판 상에 en-APTAS를 흡착시키는 단계를 포함하는 일산화질소를 선택적으로 감지하는 가스센서를 포함하는 체외진단기기의 제조방법
|
| 7 |
7
기판 상에 적어도 하나의 가스감지영역을 포함하는 가스센서로서, 상기 가스감지영역은 아미노실란 및 결함을 갖는 단일벽 탄소나노튜브를 포함하고, 상기 가스감지영역은 상기 기판상에 형성된 아미노실란층 상에 형성된 결함을 갖는 단일벽 탄소나노튜브층 상에 형성된 en-APTAS를 포함하는 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 일산화질소를 선택적으로 감지하는 가스센서
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 en-APTAS는 상기 결함을 갖는 단일벽 탄소나노튜브층의 내벽 및 외벽 모두에 흡착된 것을 특징으로 하는 가스센서
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 상기 결함은 급속 열 처리하여 생성되는 것인 가스센서
|
| 10 |
10
청구항 9에 있어서, 상기 급속 열 처리는 400℃ 이상 800℃ 이하에서 수행하는 것인 가스센서
|
| 11 |
11
청구항 7 내지 10 중 어느 한 청구항의 가스센서를 포함하는 체외진단기기
|
