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적어도 둘 이상의 스핀궤도 토크 메모리 구조체가 제1 방향으로 연결되고,상기 적어도 둘 이상의 스핀궤도 토크 메모리 구조체는,상기 제1 방향으로 선폭이 변화되는 스핀궤도 활성층; 및상기 스핀궤도 활성층 상에 형성되는 자기 터널 접합을 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀궤도 토크 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 스핀궤도 활성층의 선폭에 따라 전류 밀도가 조절되는 것을 특징으로 하는 스핀궤도 토크 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 스핀궤도 활성층의 선폭에 따라 스핀궤도 토크가 조절되는 것을 특징으로 하는 스핀궤도 토크 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 선폭은 상기 스핀궤도 활성층의 너비 및 두께 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스핀궤도 토크 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 스핀궤도 토크 메모리 소자는 전류 방향에 의해 자화 반전 방향이 조절되는 것을 특징으로 하는 스핀궤도 토크 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 스핀궤도 활성층은 백금(Pt), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 이리듐-망간(IrMn), 철-망간(FeMn), 백금-망간(PtMn) 및 이들의 합금 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀궤도 토크 메모리 소자
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7
제1항에 있어서, 상기 자기 터널 접합은 상기 스핀궤도 활성층의 중심부에 형성되는 것을 특징으로 하는 스핀궤도 토크 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 자기 터널 접합은 자유층, 터널 배리어 및 고정층을 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀궤도 토크 메모리 소자
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9
제8항에 있어서, 상기 자유층은 비대칭 교환상호 작용(Dzyaloshinskii Moriya Interaction, DMI)을 갖는 것을 특징으로 하는 스핀궤도 토크 메모리 소자
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10
제8항에 있어서, 상기 자유층은 수직 자기 이방성을 갖는 것을 특징으로 하는 스핀궤도 토크 메모리 소자
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11
제8항에 있어서, 상기 자유층의 형상은 원형, 타원형 및 다각형 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스핀궤도 토크 메모리 소자
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스핀궤도 활성막을 형성하는 단계;상기 스핀궤도 활성막을 패터닝하여 제1 방향으로 선폭이 변화되는 스핀궤도 활성층을 적어도 둘 이상 형성하는 단계; 및상기 스핀궤도 활성층의 중심부에 자기 터널 접합을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀궤도 토크 메모리 소자의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 선폭은 상기 스핀궤도 활성층의 너비 및 두께 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스핀궤도 토크 메모리 소자의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 자기 터널 접합은 상기 스핀궤도 활성층의 중심부에 형성되는 것을 특징으로 하는 스핀궤도 토크 메모리 소자의 제조 방법
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