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스핀궤도 활성층 상에 형성되는 자유층,상기 자유층 상에 형성되는 터널 배리어층; 및상기 터널 배리어층 상에 형성되는 고정층;을 포함하고,상기 자유층은 면내 방향으로 비대칭 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 스핀 궤도 토크 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 면내 방향으로 비대칭 구조를 갖는 자유층은 적어도 둘 이상의 경사면을 갖는 것을 특징으로 하는 스핀 궤도 토크 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 자유층의 자화 방향은 상기 자유층의 경계면에서 면내 방향으로 기울어진 것을 특징으로 하는 스핀 궤도 토크 메모리 소자
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제3항에 있어서, 상기 자유층의 경계면의 자화 방향의 각도는 10° 내지 80°인 것을 특징으로 하는 스핀 궤도 토크 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 자유층의 형상은 삼각형, 오각형 및 육각형 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스핀 궤도 토크 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 자유층은 비대칭 교환상호 작용(Dzyaloshinskii Moriya Interaction, DMI)을 갖는 것을 특징으로 하는 스핀 궤도 토크 메모리 소자
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7
제1항에 있어서, 상기 자유층은 수직 자기 이방성을 갖는 것을 특징으로 하는 스핀 궤도 토크 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 스핀 궤도 토크 메모리 소자는 전류 방향에 의해 자화 반전 방향이 조절되는 것을 특징으로 하는 스핀 궤도 토크 메모리 소자
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9
제1항에 있어서, 상기 자유층 상에 형성되는 터널 배리어층 및 고정층 중 적어도 어느 하나는 상기 자유층과 동일한 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 스핀 궤도 토크 메모리 소자
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10
제1항에 있어서, 상기 자유층, 상기 터널 배리어층 및 상기 고정층은 상기 스핀궤도 활성층의 중심부에 형성되는 것을 특징으로 하는 스핀 궤도 토크 메모리 소자
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11
제1항에 있어서, 상기 스핀궤도 활성층은 전류 방향으로 선폭이 변화되는 것을 특징으로 하는 스핀 궤도 토크 메모리 소자
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스핀궤도 활성층을 형성하는 단계; 상기 스핀궤도 활성층 상에 면내 방향으로 비대칭 구조를 갖는 자유층을 형성하는 단계;상기 자유층 상에 터널 배리어층을 형성하는 단계; 및상기 터널 배리어층 상에 고정층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 궤도 토크 메모리 소자의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 자유층, 상기 터널 배리어층 및 상기 고정층은 상기 스핀궤도 활성층의 중심부에 형성되는 것을 특징으로 하는 스핀 궤도 토크 메모리 소자의 제조 방법
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