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페로브스카이트 화합물;상기 페로브스카이트 화합물에 도핑된 니켈; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질
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제 1항에 있어서,상기 나노물질은,결정입자 또는 양자점인 것을 특징으로 하는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질
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제 1항에 있어서,상기 페로브스카이트 화합물은,ABX3 구조를 갖는 조성으로 이루어지고,상기 ABX3 구조 중에서,A는 Cs+, Rb+, MA+(methylammonium), FA+(Formamidinium) 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상이고,B는 Pb, Sn, Cu, Co, Fe, Mn, Cr, Pd, Cd, Ge, Yb, Sb, Bi의 2가 또는 3가 금속이온 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상이며,X3는 Cl, Br, I 중에서 선택되는 하나 이상의 할라이드 음이온인 것을 특징으로 하는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질
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제 1항에 있어서,상기 나노물질은,서로 상이한 2종 이상의 2가 또는 3가 금속, Pb, Sn, Cu, Co, Fe, Mn, Cr, Pd, Cd, Ge, Yb, Sb, Bi 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상인 제1금속;Ni에 의한 제2금속; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질
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제 4항에 있어서,상기 나노물질은,상기 제1금속과 제2금속이 갖는 총 금속의 몰수를 1로 할 때,상기 Ni에 의한 제2금속은 0
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제 1항에 있어서,상기 페로브스카이트 화합물은,CsPbX3 구조를 갖는 조성이고,X3는 Cl, Br, I 중에서 선택되는 하나 이상의 할라이드 음이온인 것을 특징으로 하는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질
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제 6항에 있어서,상기 니켈은,NiBr2, NiI2, NiCl2 중에서 선택된 1종의 할로겐염에 의해 도핑되는 것을 특징으로 하는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질
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제 1항에 있어서,상기 나노물질은,Ni:CsPbX3 구조로 이루어지고,X3는 Cl, Br, I 중에서 선택되는 하나 이상의 할라이드 음이온인 것을 특징으로 하는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질
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제 1항에 있어서,상기 나노물질은,평균 직경 5nm 내지 120nm의 입자크기를 갖는 것을 특징으로 하는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질
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제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노물질은,X-선 광전자분광 스펙트럼의 니켈 2p 스펙트럼 상 금속-니켈 결합에 해당하는 바인딩 에너지에서 피크가 존재하는 것을 특징으로 하는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질
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제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노물질은,상온(20℃ 내지 30℃)에서의 발광특성 기준한 발광 파장에 있어, 상기 니켈의 도핑 농도에 따라 페로브스카이트 화합물이 갖는 발광 파장에서 블루 쉬프트 또는 레드 쉬프트되는 것을 특징으로 하는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질
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제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노물질은,하기 수학식 1이 갖는 광 발광 양자효율을 만족하는 것을 특징으로 하는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질
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제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노물질은,상온(20℃ 내지 30℃)에서의 발광특성 기준한 발광 피크에 있어, FWHM(full width half maximum; 반치전폭)이 50nm 이하인 것을 특징으로 하는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질
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제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노물질은,66% 이상의 광발광 양자효율(PLQY; photoluminescence quantum yield)을 만족하는 것을 특징으로 하는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질
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제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노물질은,시간분해능 광 발광 붕괴 측정시 평균 수명(lifetime)이 3
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제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노물질은,4W의 UV램프를 2일간 연속으로 조사한 기준하여 초기 대비 31% 이상의 PL(Photoluminescence; 광 발광) 강도를 만족하는 것을 특징으로 하는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질
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제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노물질은,5% 가량의 deionized water을 첨가한 기준하여 40분 후, 초기 대비 22% 이상의 PL(Photoluminescence; 광 발광) 강도를 만족하는 것을 특징으로 하는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질
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제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노물질은,120℃로 5분 동안 가열하는 기준하여 초기 대비 14% 이상의 PL(Photoluminescence; 광 발광) 강도를 만족하는 것을 특징으로 하는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질
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Ni:ABX3 구조를 갖는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질의 제조방법에 있어서,(A) 상기 Ni:ABX3 구조를 갖는 화학식 중, A에 위치시키기 위한 A 소스와 도핑 처리를 위한 니켈(Ni) 소스를 용매에 용해시켜 제1용액을 제조하는 단계;(B) 상기 Ni:ABX3 구조를 갖는 화학식 중, B에 위치시키기 위한 B 소스를 용매에 용해시켜 제2용액을 제조하는 단계;(C) 상기 제2용액에 상기 제1용액을 첨가하여 혼합물을 제조하는 단계;(D) 상기 혼합물을 원심분리하여 니켈이 도핑된 페로브스카이트 나노물질을 제조하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질의 제조방법
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제 19항에 있어서,상기 제조방법은 고온주입법(Hot-injection)에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질의 제조방법
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제 19항에 있어서,상기 (C)단계에서는,제2용액에 제1용액을 주입하여 합성반응을 유도하되, 150~250℃의 온도범위로 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질의 제조방법
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제 19항에 있어서,상기 A는 Cs+, Rb+, MA+(methylammonium), FA+(Formamidinium) 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상이고,상기 B는 Pb, Sn, Cu, Co, Fe, Mn, Cr, Pd, Cd, Ge, Yb, Sb, Bi의 2가 또는 3가 금속이온 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상이며,상기 X3는 Cl, Br, I 중에서 선택되는 하나 이상의 할라이드 음이온인 것을 특징으로 하는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질의 제조방법
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제 19항에 있어서,상기 A 소스는 세슘탄산염(Cs2CO3)이고,상기 니켈 소스는 NiBr2, NiI2, NiCl2 중에서 선택된 1종의 할로겐염이고,상기 B 소스는 PbBr2, PbI2, PbCl2 중에서 선택된 1종의 할로겐염이며,상기 니켈 소스와 B 소스는 서로 대응하는 할라이드를 사용하는 것을 특징으로 하는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질의 제조방법
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제 23항에 있어서,상기 Ni/Pb의 몰비는 1 내지 3의 범위로 첨가하는 것을 특징으로 하는 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질의 제조방법
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청구항 1 내지 청구항 18 중에서 어느 한 항에 의한 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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제 25항에 있어서,상기 광전자 소자는,발광필름, 발광다이오드, 엘이디(LED) 패키지, 디스플레이장치, 태양전지 중에서 어느 1군인 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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청구항 19 내지 청구항 24 중에서 어느 한 항에 의한 니켈이 첨가된 금속 할라이드 페로브스카이트 나노물질의 제조방법에 의해 제조되는 페로브스카이트 나노물질 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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제 27항에 있어서,상기 광전자 소자는,발광필름, 발광다이오드, 엘이디(LED) 패키지, 디스플레이장치, 태양전지 중에서 어느 1군인 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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