| 1 |
1
기판;상기 기판의 상부에 각각이 이격되어 적층된 복수의 트랜스듀서 엘리먼트;상기 복수의 트랜스듀서 엘리먼트 사이에 위치하고 상기 기판을 통과하도록 형성되는 스트레처블 힌지;상기 기판의 하부를 덮도록 형성되는 제1 폴리머층; 및상기 제1 폴리머층의 하부에 형성된 액츄에이터층을 포함하는, 초음파 트랜스듀서
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 스트레처블 힌지는,인접한 트랜스듀서 엘리먼트들 사이에 형성된 이격 공간 상에 위치하는 제2 폴리머층; 및상기 제2 폴리머층의 하부로부터 연장되어 상기 기판을 통과하는 액체 금속층을 포함하는, 초음파 트랜스듀서
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 액츄에이터층은,상기 제1 폴리머층의 하부에 형성된 절연층;상기 절연층의 하부에 형성된 제1 전극층;상기 제1 전극층의 하부에 형성된 유전 탄성체; 및상기 유전 탄성체의 하부에 형성된 제2 전극층을 포함하는, 초음파 트랜스듀서
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 제1 폴리머층은,폴리다이메틸실록산(Polydimethylsiloxane)을 포함하는,초음파 트랜스듀서
|
| 5 |
5
제2항에 있어서,상기 제2 폴리머층은,폴리이미드(Polyimide)를 포함하는,초음파 트랜스듀서
|
| 6 |
6
제2항에 있어서,상기 액체 금속층은,비스무트-납-인듐-주석-카드뮴 가융 합금(Bi-Pb-In-Sn-Cd fusible alloy)을 포함하는,초음파 트랜스듀서
|
| 7 |
7
제2항에 있어서상기 액체 금속층은,상기 기판에 인가된 전압에 의해 발생되는 열에 기초하여 고체에서 액체로 상전이 되는 것인,초음파 트랜스듀서
|
| 8 |
8
제3항에 있어서,상기 유전 탄성체는,상기 스트레처블 힌지에 포함된 가융 합금이 액체 상태인 경우 상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층에 인가된 전압에 의해 구부러지는,초음파 트랜스듀서
|
| 9 |
9
기판을 형성하는 동작;상기 기판의 상부에 복수의 트랜스듀서 엘리먼트를 각각이 이격하여 적층하는 동작;상기 복수의 트랜스듀서 엘리먼트 사이에 위치하고 상기 기판을 통과하도록 스트레처블 힌지를 형성하는 동작;상기 기판의 하부를 덮도록 제1 폴리머층을 형성하는 동작; 및상기 제1 폴리머층의 하부에 액츄에이터층을 형성하는 동작을 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 스트레처블 힌지를 생성하는 동작은,인접한 트랜스듀서 엘리먼트들 사이에 형성된 이격 공간 상에 위치하는 제2 폴리머층을 형성하는 동작; 및상기 제2 폴리머층의 하부로부터 연장되어 상기 기판을 통과하는 액체 금속층을 형성하는 동작을 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 제2 폴리머층을 형성하는 동작은,상기 기판 및 상기 복수의 트랜스듀서 엘리먼트 위에 폴리머 물질을 적층하는 동작; 및상기 폴리머 물질을 패터닝함으로써 제2 폴리머층을 형성하는 동작을 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 액체 금속층을 형성하는 동작은,상기 제2 폴리머층의 하부에 위치한 기판을 식각함으로써 트랜치를 형성하는 동작; 및상기 트랜치에 액체 금속을 채움으로써 액체 금속층을 형성하는 동작을 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
| 13 |
13
제9항에 있어서,상기 액츄에이터층을 형성하는 동작은,상기 제1 폴리머층의 하부에 절연층을 형성하는 동작;상기 절연층의 하부에 제1 전극층을 형성하는 동작;상기 제1 전극층의 하부에 유전 탄성체를 형성하는 동작; 및상기 유전 탄성체의 하부에 제2 전극층을 형성하는 동작을 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
| 14 |
14
제9항에 있어서,상기 제1 폴리머층은,폴리다이메틸실록산(Polydimethylsiloxane)을 포함하는,초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
| 15 |
15
제11항에 있어서,상기 폴리머 물질을 적층하는 동작은,스핀 코팅을 통해 폴리이미드(Polyimide)를 적층하는 동작을 포함하는, 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
| 16 |
16
제10항에 있어서,상기 액체 금속층은,비스무트-납-인듐-주석-카드뮴 가융 합금(Bi-Pb-In-Sn-Cd fusible alloy)을 포함하는,초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
| 17 |
17
제10항에 있어서상기 액체 금속층은,상기 기판에 인가된 전압에 의해 발생되는 열에 기초하여 고체에서 액체로 상전이 되는 것인,초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
| 18 |
18
제13항에 있어서,상기 유전 탄성체는,상기 스트레처블 힌지에 포함된 가융 합금이 액체 상태인 경우 상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층에 인가된 전압에 의해 구부러지는,초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
| 19 |
19
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 초음파 트랜스듀서; 및상기 초음파 트랜스듀서를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 초음파 트랜스듀서 시스템
|
| 20 |
20
제19항에 있어서,상기 컨트롤러는,상기 초음파 트랜스듀서에 포함된 스트레쳐블 힌지 및 상기 초음파 트랜스듀서에 포함된 액츄에이터층을 상기 초음파 트랜스듀서의 구동과 독립적으로 제어하는, 초음파 트랜스듀서 시스템
|
