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강유전체 기반의 3차원 플래시 메모리의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022019718
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 강유전체 기반의 3차원 플래시 메모리의 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리의 제조 방법은, 기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 적층되는 복수의 워드 라인들, 복수의 워드 라인들 사이에 개재되며 상기 수평 방향으로 연장 형성되는 복수의 희생층들과, 상기 복수의 워드 라인들 및 상기 복수의 희생층들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 홀-상기 적어도 하나의 홀의 내벽에는 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 배리어 메탈층이 증착되고 상기 배리어 메탈층의 내벽에는 전하 저장층으로 사용되는 강유전체층이 증착됨-을 포함하는 반도체 구조체를 준비하는 단계; 상기 반도체 구조체에서 상기 강유전체층에 대한 급속 냉각 공정을 수행하는 단계; 상기 강유전체층의 내벽에 채널층을 상기 수직 방향으로 연장 형성하는 단계; 상기 복수의 희생층들을 제거하는 단계; 및 상기 복수의 희생층들이 제거된 공간들을 통해 상기 배리어 메탈층의 일부분들을 제거하여, 서로 격리된 배리어 메탈 영역들을 형성하는 단계를 포함할 수 있다
Int. CL H01L 27/11597 (2017.01.01) H01L 27/1159 (2017.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC H01L 27/11597(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 29/6684(2013.01)
출원번호/일자 1020210043751 (2021.04.05)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0138082 (2022.10.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.04.05)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 서울특별시 성동구
2 최창환 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2021-0393872-10
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2022.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2022-0848462-88
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번호 청구항
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강유전체 기반의 3차원 플래시 메모리의 제조 방법에 있어서,기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 적층되는 복수의 워드 라인들, 복수의 워드 라인들 사이에 개재되며 상기 수평 방향으로 연장 형성되는 복수의 희생층들과, 상기 복수의 워드 라인들 및 상기 복수의 희생층들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 홀-상기 적어도 하나의 홀의 내벽에는 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 배리어 메탈층이 증착되고 상기 배리어 메탈층의 내벽에는 전하 저장층으로 사용되는 강유전체층이 증착됨-을 포함하는 반도체 구조체를 준비하는 단계;상기 반도체 구조체에서 상기 강유전체층에 대한 급속 냉각 공정을 수행하는 단계;상기 강유전체층의 내벽에 채널층을 상기 수직 방향으로 연장 형성하는 단계;상기 복수의 희생층들을 제거하는 단계; 및상기 복수의 희생층들이 제거된 공간들을 통해 상기 배리어 메탈층의 일부분들을 제거하여, 서로 격리된 배리어 메탈 영역들을 형성하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 급속 냉각 공정을 수행하는 단계는,상기 급속 냉각 공정을 통해 개선되는 상기 강유전체층의 강유전 특성이 상기 급속 냉각 공정 시 상기 강유전체층과 맞닿는 상기 배리어 메탈층의 접촉 면적에 비례하는 성질에 기초하여, 상기 강유전체층의 일면 전체 영역에 맞닿는 상기 배리어 메탈층에 의해 상기 강유전체층의 강유선 특성이 최대화되도록 상기 급속 냉각 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 복수의 희생층들을 제거하는 단계 및 상기 서로 격리된 배리어 메탈 영역들을 형성하는 단계는,상기 복수의 희생층들을 제거하는 것과 상기 배리어 메탈층의 일부분들을 제거하는 것이 일괄적으로 수행됨에 따라, 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 서로 격리된 배리어 메탈 영역들을 형성하는 단계는,상기 배리어 메탈층의 전체 영역 중 상기 복수의 희생층들에 대응하는 상기 일부분들을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 복수의 희생층들을 제거하는 단계는,상기 복수의 워드 라인들을 서로 절연시키는 복수의 에어 갭(Air gap)들을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.