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멀티비트 강유전체 기억소자

  • 기술번호 : KST2014043579
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 멀티비트 강유전체 기억소자가 개시된다. 본 발명에 따른 멀티비트 강유전체 기억소자는 강유전체(ferroelectric material)로 이루어지며, 적어도 하나는 항전계(coercive field)가 다른 복수의 강유전체 박막을 구비한다. 본 발명에 따른 멀티비트 강유전체 기억소자의 바람직한 실시예는 하부전극과, 하부전극 상에 형성되며 강유전체로 이루어진 복수의 강유전체 박막이 순차적으로 적층되어 있는 강유전체 복합층과, 강유전체 복합층 상에 형성된 상부전극을 구비한다. 그리고 복수의 강유전체 박막 중 적어도 하나의 강유전체 박막은 다른 강유전체 박막과 항전계 및 두께 중 적어도 하나가 서로 다르다. 본 발명에 따르면, 강유전체의 항전계 또는 박막의 두께가 서로 다른 복수의 강유전체 박막이 이용됨으로써 간단한 구조를 가지면서 멀티비트가 구현 가능하게 되어 소자의 집적도를 용이하게 향상시킬 수 있다. 강유전체, 항전계, 잔류 분극, PZT, BFO
Int. CL H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/51 (2006.01.01) H01L 21/28 (2006.01.01)
CPC H01L 29/78391(2013.01) H01L 29/78391(2013.01) H01L 29/78391(2013.01) H01L 29/78391(2013.01)
출원번호/일자 1020080031134 (2008.04.03)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0963132-0000 (2010.06.04)
공개번호/일자 10-2009-0105590 (2009.10.07) 문서열기
공고번호/일자 (20100615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.03)
심사청구항수 25

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최덕균 대한민국 서울 광진구
2 김영배 대한민국 경기 용인시 처인구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 임승섭 대한민국 서울특별시 종로구 율곡로*길 *(수송동, 로얄팰리스스위트) ***호(특허법인임앤정)
2 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0242504-98
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.09.29 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0057618-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0031689-26
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0142174-59
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0142162-12
7 등록결정서
Decision to grant		 2010.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0234804-42
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수의 강유전체 박막을 구비하는 강유전체 기억소자로, 멀티비트를 구현하기 위해, 상기 복수의 강유전체 박막 중 적어도 하나의 강유전체 박막은 다른 강유전체 박막과 항전계(coercive field)가 서로 다른 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 복수의 강유전체 박막은 잔류 분극(remanent polarization)이 서로 다른 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
3 3
하부전극; 상기 하부전극 상에 형성되며, 강유전체로 이루어진 복수의 강유전체 박막이 순차적으로 적층되어 있는 강유전체 복합층; 및 상기 강유전체 복합층 상에 형성된 상부전극;을 포함하며, 멀티비트를 구현하기 위해, 상기 복수의 강유전체 박막 중 적어도 하나의 강유전체 박막은 다른 강유전체 박막과 항전계 및 두께 중 적어도 하나가 서로 다른 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
4 4
제3항에 있어서, 상기 복수의 강유전체 박막은 잔류 분극이 서로 다른 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
5 5
제3항에 있어서, 상기 강유전체 복합층은 상기 복수의 강유전체 박막 사이 각각에 형성된 중간전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
6 6
기판; 상기 기판 상에 형성되며, 강유전체로 이루어진 복수의 강유전체 박막이 순차적으로 적층되어 있는 강유전체 복합층; 상기 기판 상에 형성되며, 상기 강유전체 복합층의 일측면에 상기 복수의 강유전체 박막과 모두 접촉되게 배치되는 제1전극; 및 상기 기판 상에 형성되며, 상기 강유전체 복합층의 타측면에 상기 복수의 강유전체 박막과 모두 접촉되게 배치되는 제2전극;을 포함하며, 멀티비트를 구현하기 위해, 상기 복수의 강유전체 박막 중 적어도 하나의 강유전체 박막은 다른 강유전체 박막과 항전계 및 상기 제1전극과 접촉하는 면에서 상기 제2전극과 접촉하는 면까지의 거리 중 적어도 하나가 서로 다른 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
7 7
제6항에 있어서, 상기 복수의 강유전체 박막은 잔류 분극이 서로 다른 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
8 8
제6항에 있어서, 상기 강유전체 복합층은 상기 복수의 강유전체 박막 사이에 절연체로 이루어진 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
9 9
제6항에 있어서, 상기 강유전체 복합층 상에 형성되며, 절연체로 이루어진 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
10 10
하부전극; 상기 하부전극 상에 형성되며, 강유전체로 이루어진 복수의 강유전체 박막이 상기 하부전극의 상면에 평행한 면 상에서 상기 강유전체 박막 서로에 대해 측면 방향으로 배열되어 있는 강유전체 복합층; 및 상기 강유전체 복합층 상에 형성된 상부전극;을 포함하며, 멀티비트를 구현하기 위해, 상기 복수의 강유전체 박막 중 적어도 하나의 강유전체 박막은 다른 강유전체 박막과 항전계 및 두께 중 적어도 하나가 서로 다른 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
11 11
제10항에 있어서, 상기 복수의 강유전체박막은 잔류 분극이 서로 다른 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
12 12
제10항에 있어서, 상기 강유전체 복합층은 상기 복수의 강유전체 박막 사이 각각에 형성되며, 절연체로 이루어진 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
13 13
제10항에 있어서, 상기 강유전체 박막 중 적어도 하나는 강유전체로 이루어진 복수의 강유전체층이 순차적으로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
14 14
제13항에 있어서, 상기 복수의 강유전체층이 순차적으로 적층되어 형성된 강유전체 박막은, 상기 강유전체층 사이 각각에 형성된 중간전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
15 15
하부전극; 상기 하부전극 상에 형성되며, 강유전체로 이루어진 하나의 강유전체 박막 또는 복수의 강유전체 박막이 순차적으로 적층되어 있는 하나 이상의 직렬층 및 강유전체로 이루어진 복수의 강유전체 박막이 서로에 대해 측면 방향으로 상기 하부전극의 상면과 평행한 평면 상에 배열되어 있는 하나 이상의 병렬층이 적층되어 있는 강유전체 복합층; 및 상기 강유전체 복합층 상에 형성된 상부전극;을 포함하며, 멀티비트를 구현하기 위해, 상기 강유전체 박막들 중 적어도 하나의 강유전체 박막은 상기 다른 강유전체 박막과 항전계 및 두께 중 적어도 하나가 서로 다른 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
16 16
제15항에 있어서, 상기 직렬층 및 상기 병렬층에 구비된 강유전체 박막의 잔류 분극이 서로 다른 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
17 17
제15항에 있어서, 상기 강유전체 복합층은 상기 직렬층과 상기 병렬층 사이 각각에 형성된 삽입전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
18 18
제15항에 있어서, 상기 직렬층은 복수의 강유전체 박막이 순차적으로 적층된 구조이고, 상기 직렬층은 상기 복수의 강유전체 박막 사이 각각에 형성된 직렬중간전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
19 19
제15항에 있어서, 상기 병렬층은 상기 병렬층에 구비된 복수의 강유전체 박막 사이 각각에 형성되며, 절연체로 이루어진 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
20 20
제15항에 있어서, 상기 병렬층에 구비된 복수의 강유전체 박막 중 적어도 하나는 강유전체로 이루어진 복수의 강유전체층이 순차적으로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
21 21
제20항에 있어서, 상기 복수의 강유전체층이 순차적으로 적층되어 형성된 강유전체 박막은, 상기 복수의 강유전체층의 사이 각각에 형성된 병렬중간전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
22 22
하부전극; 상기 하부전극 상에 형성된 절연막과, 상기 절연막 내부에 형성되며 강유전체로 이루어진 복수의 강유전체 입자를 구비하는 강유전체 복합층; 및 상기 강유전체 복합층 상에 형성된 상부전극;을 포함하며, 멀티비트를 구현하기 위해, 상기 복수의 강유전체 입자들 중 적어도 하나의 강유전체 입자는 다른 강유전체 입자와 항전계 및 직경 중 적어도 하나가 서로 다른 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
23 23
제22항에 있어서, 상기 복수의 강유전체 입자는 잔류 분극이 서로 다른 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
24 24
제22항에 있어서, 상기 절연막은 SiO2, SiNx, SiONx, Al2O3, HfO2, ZrO2, Y2O3, HfAlO, HfSiO 및 ZrSiO 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
25 25
제1항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 강유전체는 Pb(Zr,Ti)O3(PZT), SrBi2Ta2O9(SBT), (Bi,La)4Ti3O12(BLT) 및 BiFeO3(BFO) 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 멀티비트 강유전체 기억소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.