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자성 반도체 제조 방법 및 그 장치

  • 기술번호 : KST2014010051
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 챔버 안에서 기판 상에 타겟 물질을 스퍼터링 증착법으로 박막 코팅하는 스퍼터링 증착 장치에 있어서, 상기 챔버 안의 산소 가스의 분압을 측정하는 잔류가스 분석기; 및 상기 잔류가스 분석기에서 측정한 상기 산소 가스의 분압이 미리 설정된 범위안에 있도록 상기 챔버 안에 주입되는 상기 산소 가스의 양을 조절하는 가스 주입 제어기를 포함하는 스퍼터링 증착 장치가 제시된다. 본 발명에 따른 자성 반도체 제조 방법 및 그 장치는 스퍼터링 증착 방법으로 제작되는 다결정 자성 반도체 제조공정에서 잔류가스 분석기를 통해 자성 반도체 내의 산소 결손량을 정밀조절하여 후열처리나 추가 도펀트(Dopant)의 주입없이 전하농도를 제어할 수 있는 효과가 있다. 자성 반도체, 스퍼터링, 산소 분압, 산소 결손량
Int. CL C23C 14/00 (2018.01.01) C23C 14/08 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC C23C 14/0042(2013.01) C23C 14/0042(2013.01) C23C 14/0042(2013.01)
출원번호/일자 1020070125948 (2007.12.06)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0915440-0000 (2009.08.27)
공개번호/일자 10-2009-0059218 (2009.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20090903) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.06)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영백 대한민국 서울시 용산구
2 박상윤 대한민국 서울시 강남구
3 이형우 대한민국 서울시 동대문구
4 이주열 대한민국 경기도 성남시 분당구
5 강지훈 대한민국 서울시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2007-0877668-47
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.09.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0062343-19
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0768198-01
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0085029-09
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0237212-88
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.04.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0237233-36
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0352289-48
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
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스퍼터링 증착 장치가 챔버 안에서 기판 상에 타겟 물질을 박막 증착하여 다결정 자성 반도체를 제조하는 방법에 있어서, 상기 챔버 안의 산소 가스의 분압을 측정하는 단계; 상기 측정한 산소 가스의 분압과 미리 설정된 산소 가스의 분압을 비교하여, 상기 챔버 안의 산소 가스의 분압이 상기 미리 설정된 산소 가스의 분압과 동일해지도록 상기 챔버 안에 주입되는 상기 산소 가스의 양을 조절하는 단계-여기서, 상기 미리 설정된 산소 가스의 분압은 제조하고자 하는 다결정 자성 반도체에 따른 스핀 정렬 상태 및 전하 농도를 고려하였을 때 요구되는 상기 다결정 자성 반도체의 산소 결손량에 상응함-; 및 상기 조절된 산소 가스의 분압에 상응하는 산소 결손량을 가지는 다결정 자성 반도체를 스퍼터링 방식에 의해서 생성하는 단계를 포함하는 다결정 자성 반도체 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 미리 설정된 산소 가스의 분압은 1
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제8항에 있어서, 상기 타겟 물질은 ZnO 및 Mn인 것을 특징으로 하는 다결정 자성 반도체 제조 방법
11 11
제8항에 있어서, 상기 다결정 자성 반도체는 Zn0
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제11항에 있어서, 상기 δ는 0
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제8항 내지 제12항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된 다결정 자성 반도체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 양자광기능 물성연구 센터 우수연구센터 광자-스핀 물성