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지지 기판을 준비하는 단계;상기 지지 기판 상에, (110)면 및 (100)면 중에서 선택된 하나가 지배적인 결정면인 니켈(Ni)을 포함하는 촉매 층을 형성하는 단계; 및상기 촉매 층 상에, 약 1050℃ 이하에서 화학기상증착 공정을 수행하여 그라파이트 층을 가지는 멤브레인을 형성하는 단계;를 포함하는,펠리클의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 촉매 층에서 니켈(Ni)은 약 100㎚ 이하의 결정 크기를 가지고,상기 촉매 층에서 니켈(Ni)은 약 500㎚ 내지 약 5㎛에서 선택된 하나의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 그라파이트 층의 소결 공정은 약 700℃, 약 780℃, 약 800℃, 약 860℃, 및 약 900℃ 중에서 선택된 하나인 온도로 수행되는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 그라파이트 층의 소결 공정은 약 1분 내지 약 120분에서 선택된 하나의 시간동안 수행되는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 지지 기판과 상기 촉매 층의 사이에, 실리콘산화물, 실리콘질화물, 금속산화물, 폴리머 박막 중에서 선택된 하나의 물질막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 물질막의 두께는 약 100㎚ 내지 약 300㎚ 사이인 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 멤브레인을 형성하기 전의 상기 촉매 층의 제1 표면 거칠기는, 상기 멤브레인을 형성한 후의 상기 촉매 층의 제2 표면 거칠기보다 작은 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 제1 표면 거칠기는 약 5㎚ 내지 약 15㎚이고,상기 제2 표면 거칠기는 약 20㎚ 내지 약 35㎚인 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 멤브레인은 극자외선(extreme ultraviolet, EUV) 광을 광원으로 사용하는 리소그래피 장비에서 이용되는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 멤브레인에서,상기 EUV 광의 투과율은 약 80% 이상이고,상기 EUV 광의 반사율은 약 0
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니켈(Ni) 호일을 준비하는 단계;상기 니켈(Ni) 호일 상에, (111)면이 지배적인 결정면인 니켈(Ni)을 포함하는 촉매 층을 형성하는 단계;상기 촉매 층 상에, 약 1050℃ 이하에서 화학기상증착 공정을 수행하여 그라파이트 층을 가지는 멤브레인을 형성하는 단계; 및상기 니켈(Ni) 호일을 제거하는 단계;를 포함하는,펠리클의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 니켈(Ni) 호일의 두께는 약 25㎛인 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 촉매 층에서 니켈(Ni)은 약 100㎚ 이하의 결정 크기를 가지고,상기 촉매 층에서 니켈(Ni)은 약 500㎚ 내지 약 5㎛에서 선택된 하나의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 멤브레인을 형성하기 전의 상기 촉매 층의 제1 표면 거칠기는 약 5㎚ 내지 약 15㎚이고,상기 멤브레인을 형성한 후의 상기 촉매 층의 제2 표면 거칠기는 약 20㎚ 내지 약 35㎚인 것을 특징으로 하는 펠리클의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 멤브레인은 EUV 광을 광원으로 사용하는 리소그래피 장비에서 이용되고, 상기 멤브레인에서,상기 EUV 광의 투과율은 약 80% 이상이고,상기 EUV 광의 반사율은 약 0
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EUV 광을 광원으로 사용하는 리소그래피 장비에서 사용되는 EUV 노광용 펠리클의 제조 방법에 있어서,지지 기판을 준비하는 단계;상기 지지 기판 상에, (111)면, (110)면, 및 (100)면 중에서 선택된 하나가 지배적인 결정면인 니켈(Ni)을 포함하는 촉매 층을 형성하는 단계;상기 촉매 층 상에, 약 1050℃ 이하에서 하이드로카본(hydrocarbon) 계열의 전구체를 이용하는 화학기상증착 공정을 수행하여 그라파이트 층을 가지는 멤브레인을 형성하는 단계; 및상기 그라파이트 층을 가지는 멤브레인을 프레임 상으로 전사하는 단계;를 포함하는,EUV 노광용 펠리클의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 멤브레인은 가로 약 50㎜ 및 세로 약 50㎜의 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 EUV 노광용 펠리클의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 그라파이트 층의 두께는 약 10㎚ 내지 약 30㎚인 것을 특징으로 하는 EUV 노광용 펠리클의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 지지 기판은, 실리콘(Si) 웨이퍼 기판 또는 두께가 약 25㎛인 니켈(Ni) 호일인 것을 특징으로 하는 EUV 노광용 펠리클의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 촉매 층은 상기 그라파이트 층의 형성 과정에서 촉매로서 작용하고,상기 멤브레인을 형성하기 전의 상기 촉매 층의 제1 표면 거칠기는 약 5㎚ 내지 약 15㎚이고,상기 멤브레인을 형성한 후의 상기 촉매 층의 제2 표면 거칠기는 약 20㎚ 내지 약 35㎚인 것을 특징으로 하는 EUV 노광용 펠리클의 제조 방법
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