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인공신경망 연산을 위한 수직형 구조의 3단자 전기화학 메모리 셀 및 이를 포함하는 메모리 셀 어레이

  • 기술번호 : KST2022023315
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 인공신경망 연산을 위한 수직형 구조의 3단자 전기화학 메모리 셀은 원주홀과, 상기 원주홀의 외면을 따라 순차적으로 적층된 제1 및 제2 도전성 전극층들과, 상기 원주홀의 내면을 따라 형성되어 상기 제1 및 제2 도전성 전극층들 각각의 일단과 연결된 전해질층과, 상기 원주홀의 내면 방향으로 상기 전해질층과 평행하게 배치되는 게이트 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 27/24 (2006.01.01) H01L 45/00 (2006.01.01) G06N 3/063 (2006.01.01)
CPC H01L 27/2481(2013.01) H01L 45/1206(2013.01) G06N 3/063(2013.01)
출원번호/일자 1020210063858 (2021.05.18)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0156187 (2022.11.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.05.18)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이윤석 서울특별시 서초구
2 이현준 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정부연 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **(서초동, 한빛위너스) ***동 ***, ***호(현신특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2021-0571707-15
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2021.06.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0652681-49
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2021.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2021-0652709-39
4 보정요구서
Request for Amendment		 2021.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2021-0092076-49
5 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2021.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2021-0670077-04
6 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2021.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2021-5205564-29
7 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.04.04 수리 (Accepted) 4-1-2022-5079741-71
8 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.08.11 수리 (Accepted) 4-1-2022-5189083-38
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2022.09.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.10.07 수리 (Accepted) 4-1-2022-5235636-01
11 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2022.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0202488-16
12 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2022.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0211961-12
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2022.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0916704-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
원주홀;상기 원주홀의 외면을 따라 순차적으로 적층된 제1 및 제2 도전성 전극층들;상기 원주홀의 내면을 따라 형성되어 상기 제1 및 제2 도전성 전극층들 각각의 일단과 연결된 전해질층; 및상기 원주홀의 내면 방향으로 상기 전해질층과 평행하게 배치되는 게이트 전극을 포함하는 인공신경망 연산을 위한 수직형 구조의 3단자 전기화학 메모리 셀
2 2
원주홀;상기 원주홀의 외면을 따라 순차적으로 적층된 제1 및 제2 도전성 전극층들;상기 원주홀의 내면을 따라 형성되어 상기 제1 및 제2 도전성 전극층들 각각의 일단과 연결된 채널층; 및상기 원주홀의 내면 방향으로 상기 채널층과 평행하게 배치되는 게이트 전극층을 포함하는 인공신경망 연산을 위한 수직형 구조의 3단자 전기화학 메모리 셀
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전성 전극층들은상기 원주홀의 외면과 접촉된 디스크 형상을 구성하고, 절연체를 통해 이격되는 것을 특징으로 하는 인공신경망 연산을 위한 수직형 구조의 3단자 전기화학 메모리 셀
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 게이트 전극층의 내면에 채워지는 절연체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인공신경망 연산을 위한 수직형 구조의 3단자 전기화학 메모리 셀
5 5
제1항에 있어서, 상기 전해질층은상기 원주홀의 내면에 접촉된 원주면 채널층의 내부에 원주면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 인공신경망 연산을 위한 수직형 구조의 3단자 전기화학 메모리 셀
6 6
제2항에 있어서, 상기 채널층은상기 원주홀의 내면 및 원주면으로 형성된 전해질층의 외면 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 인공신경망 연산을 위한 수직형 구조의 3단자 전기화학 메모리 셀
7 7
제5항 또는 제6항에 있어서,상기 전해질층의 내면과 접촉되고 원주면으로 형성되는 이온 저장층(ion reservoir layer)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인공신경망 연산을 위한 수직형 구조의 3단자 전기화학 메모리 셀
8 8
제7항에 있어서, 상기 이온 저장층은Mo 산화물로 구성되는 것을 특징으로 하는 인공신경망 연산을 위한 수직형 구조의 3단자 전기화학 메모리 셀
9 9
내부를 향하여 원주면을 순차적으로 형성하는 채널층, 전해질층 및 게이트 전극층; 및상기 원주면의 외부에 디스크 형상으로 순차적으로 적층된 제1 및 제2 도전성 전극층들을 포함하는 원주형 인공신경망 연산을 위한 수직형 구조의 3단자 메모리 셀
10 10
내부를 향하여 원주면을 순차적으로 형성하는 채널층, 전해질층 및 게이트 전극층; 및상기 원주면의 외부에 디스크 형상으로 순차적으로 적층된 제1 및 제2 도전성 전극층들;상기 제1 도전성 전극층과 연결된 드레인라인;상기 제2 도전성 전극층과 연결된 소스라인; 및상기 게이트 전극층과 연결된 게이트라인을 포함하는 인공신경망 연산을 위한 수직형 구조의 3단자 메모리 셀 어레이
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 포항공과대학교 차세대지능형반도체기술개발(R＆D) 고성능 학습용 CMOS 공정호환 음이온 제어형 3단자 뉴로모픽 시냅스 소자 개발 및 어레이 시연