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모수석상(dendritic) 반도체 나노층과 금속 전극 사이에서 기준 두께 이내의 터널링 절연체를 포함하고, 상기 터널링 절연체는상기 모수석상(dendritic) 반도체 나노층과, 상기 금속 전극 사이에서 발생하는 화학적 반응 또는 산화 반응을 기준치 이하로 차단하고, 접합에서의 전자 쌍극자를 형성하거나, 유전체 내 금속 유도 간격 상태의 감쇠에 작용하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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제1항에 있어서,상기 모수석상(dendritic) 반도체 나노층은, 기판에 평행하지 않고 불특정한 방향으로 상기 기판으로부터 수직 성장하는 형태인 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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제1항에 있어서,상기 터널링 절연체는,Ta2O5, HfO2, Al2O3, Al, TiO2 및 h-BN 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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제1항에 있어서,상기 터널링 절연체는0
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기판;상기 기판의 상부에 패터닝된 게이트 전극;상기 게이트 전극의 상부에 형성되는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막의 상부에 형성되는 모수석상 반도체 나노층;상기 모수석상(dendritic) 반도체 나노층 상부에 형성되는 터널링 절연체;상기 터널링 절연체의 상부에 형성되는 소스 전극;상기 터널링 절연체의 상부에 형성되고, 상기 소스 전극에 대응되게 배치되는 드레인 전극을 포함하고,상기 터널링 절연체는,상기 모수석상(dendritic) 반도체 나노층과, 상기 금속 전극 사이에서 발생하는 화학적 반응 또는 산화 반응을 기준치 이하로 차단하고, 접합에서의 전자 쌍극자를 형성하거나, 유전체 내 금속 유도 간격 상태의 감쇠에 작용하는 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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제1항에 있어서,상기 모수석상(dendritic) 반도체 나노층은, 기판에 평행하지 않고 불특정한 방향으로 상기 기판으로부터 수직 성장하는 형태인 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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기판 상에 산화층을 형성하는 단계;상기 형성된 산화층 상에 필름을 형성한 후 포토 레지스트를 스핀 코팅하는 단계;상기 산화층으로부터 상기 필름 및 포토 레지스트로 이루어진 구조물을 분리시키는 단계;상기 포토 레지스트가 상부를 향하도록 상기 구조물을 백게이트용 기판 상에 접합시키는 단계;상기 포토 레지스트 상에 광을 조사하여 선정된 패턴을 갖도록 필름을 패터닝하여 모수석상 반도체 나노층을 형성하는 단계상기 형성된 모수석상 반도체 나노층 상에 터널링 절연체를 형성하는 단계; 및상기 형성된 터널링 절연체 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 터널링 절연체는,상기 모수석상 반도체 나노층과, 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극 사이에서 발생하는 화학적 반응 또는 산화 반응을 기준치 이하로 차단하고, 접합에서의 전자 쌍극자를 형성하거나, 유전체 내 금속 유도 간격 상태의 감쇠에 작용하는 광전자 소자의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 형성된 모수석상 반도체 나노층 상에 터널링 절연체를 형성하는 단계는,상기 패터닝된 상기 모수석상 반도체 나노층 상에 원자층증착(ALD)을 이용하여 상기 터널링 절연체로서 Ta2O5를 형성 하는 단계를 포함하는 광전자 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 패터닝된 상기 모수석상 반도체 나노층 상에 원자층증착(ALD)을 이용하여 상기 터널링 절연체로서 Ta2O5를 형성 하는 단계는,상기 패터닝된 상기 모수석상 반도체 나노층 상에 상기 Ta2O5를 200°C의 온도로 0
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