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그래핀을 이용하여 성장된 나노와이어를 기반으로 하는 광전도 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2023001120
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  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 광전도 소자는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 제1 그래핀 층; 상기 그래핀 층 상에 성장된 복수의 발광 구조체; 상기 발광 구조체 상에 형성된 제2 그래핀 층; 상기 제1 그래핀 층과 접하는 제1 금속 전극; 및 상기 제2 그래핀 층과 접하는 제2 금속 전극; 을 포함한다.
Int. CL H01L 33/00 (2023.01.01) H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 33/40 (2010.01.01) H01L 29/16 (2006.01.01)
CPC H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01)
출원번호/일자 1020150049804 (2015.04.08)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1695922-0000 (2017.01.06)
공개번호/일자 10-2016-0120572 (2016.10.18) 문서열기
공고번호/일자 (20170123) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.04.08)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철로 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 강산 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 임경상 대구광역시 수성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0344540-22
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0861925-81
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.02.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0137255-59
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0137231-64
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0381359-57
7 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.06.08 수리 (Accepted) 7-1-2016-0035581-54
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.07.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0662997-88
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0662996-32
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0568491-51
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.10.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0965435-14
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0965434-79
13 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0941040-89
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
19 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2021.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2021-5199350-79
20 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2023.02.28 수리 (Accepted) 4-1-2023-5049578-11
21 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2023.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2023-5197067-85
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번호 청구항
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(a) 기판 상에 제1 그래핀 층을 형성하는 단계;(b) 상기 제1 그래핀 층 상에 복수의 발광 구조체를 성장시키는 단계;(c) 스핀 코팅에 의해 상기 복수의 발광 구조체들 사이에 충진 입자 집합체를 충진시키는 단계;(d) 상기 발광 구조체 및 충진 입자 집합체의 상부에 제2 그래핀 층을 형성하는 단계; 및(e) 상기 제1 그래핀 층과 접하는 제1 금속 전극 및 상기 제2 그래핀 층과 접하는 제2 금속 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 (b)단계는,(b1) 상기 제1 그래핀 층 상에 GaN 나노와이어를 성장시키되 상기 제1 그래핀 층에 수직한 방향을 따라 성장시키는 단계; 및(b2) 상기 GaN 나노와이어의 원주 방향으로 다중 양자우물 구조층을 성장시키는 단계;를 포함하고,상기 (b1)단계는,상기 제1 그래핀 층이 형성된 기판을 MOCVD 반응기 내부에 장입하고 반응기 내부에 트리메틸갈륨 및 암모니아 가스를 공급하여 GaN 나노와이어를 수직 성장시키되, 금속 촉매를 적용하지 않고 GaN 나노와이어를 성장시키는 단계이고,상기 충진 입자 집합체는, 코어-쉘 구조의 Ag-SiO2 나노복합체로 이루어지는 광전도 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 (a)단계는,(a1) 촉매층을 이용하여 제1 그래핀 층을 합성하는 단계;(a2) 상기 제1 그래핀 층 상에 PMMA 층을 형성시키는 단계;(a3) 상기 촉매층을 제거하는 단계; 및(a4) 상기 촉매층이 제거되고 남은 그래핀 층을 상기 기판 상에 전사시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전도 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 (b)단계는,상기 다중 양자우물 구조층을 성장시키는 과정에서 상기 다중 양자우물 구조층 내에 양자점을 형성시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전도 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 (b)단계는,상기 다중 양자우물 구조층 상에 쉘 층을 형성시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전도 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 (b2)단계는,베리어 층 및 웰 층을 교호적으로 형성시키는 단계인 것을 특징으로 하는 광전도 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 (d)단계는,(d1) 촉매층을 이용하여 제2 그래핀 층을 합성하는 단계;(d2) 상기 제2 그래핀 층 상에 PMMA 층을 형성시키는 단계;(d3) 상기 촉매층을 제거하는 단계; 및(d4) 상기 촉매층이 제거되고 남은 제2 그래핀 층을 상기 발광 구조체의 상부에 전사시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전도 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.