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반도체 소자의 다이 접착 패키징 및 그 방법

  • 기술번호 : KST2023003292
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자의 다이 접착 패키징 및 그 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마 다이싱을 이용한 반도체 소자의 다이 접착 패키징에 관한 것이다. 본 발명에 의한 실시예에 의해 다이싱 과정에서 치핑 결함이나 크랙 결함이 제거되어 다이 수율 및 다이 강도를 증가시키고 공정 안정성을 향상시키는 효과를 가져온다.
Int. CL H01L 21/78 (2006.01.01) H01L 21/683 (2006.01.01) H01L 21/3065 (2006.01.01) H01L 21/52 (2006.01.01) H01L 23/00 (2006.01.01)
CPC H01L 21/78(2013.01) H01L 21/6836(2013.01) H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/52(2013.01) H01L 24/27(2013.01) H01L 2221/68327(2013.01) H01L 2221/6834(2013.01) H01L 2221/68377(2013.01) H01L 2224/27436(2013.01)
출원번호/일자 1020210182009 (2021.12.17)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0092531 (2023.06.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.12.17)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종철 대전광역시 유성구
2 나예은 서울특별시 동대문구
3 한상욱 대전광역시 서구
4 고경훈 경기도 화성시
5 서윤호 경기도 화성시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인연우 대한민국 대전광역시 유성구 반석로 *, 애니빌프라자 ***호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2021-1467686-16
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2021.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2021-1480148-14
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2023.01.31 수리 (Accepted) 4-1-2023-5023571-05
4 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2023.05.04 수리 (Accepted) 4-1-2023-5110236-33
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번호 청구항
1 1
구리 필라(Cu pillar)가 형성된 웨이퍼를 준비하는 단계;상기 웨이퍼 표면에 다이 접착 필름(die attach film:DAF) 및 보호필름을 적층하는 단계;상기 DAF가 적층된 표면의 반대쪽 웨이퍼 표면에 포토레지스트막 형성 및 리소그래피하는 단계;상기 웨이퍼를 스트리트를 따라 에칭하는 단계;남아있는 상기 포토레지스트막을 웨이퍼 표면에서 제거하는 것과 동시에 DAF를 에칭하여 각각의 다이로 분리하는 단계; 및분리된 상기 다이를 기판의 전극과 정렬한 후, 열과 압력을 가하여 플립칩 접속하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는반도체 소자의 다이 접착 패키징 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 웨이퍼를 에칭하는 단계는 플라즈마를 이용하여 에칭하는 것을 특징으로 하는반도체 소자의 다이 접착 패키징 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 DAF는 플라즈마 에칭이 가능하고, 최대 150℃까지 열경화가 일어나지 않는 것을 특징으로 하는반도체 소자의 다이 접착 패키징 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 포토레지스트막 제거와 DAF 에칭은 O2 플라즈마를 이용하여 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는반도체 소자의 다이 접착 패키징 방법
5 5
본딩 패드가 형성된 웨이퍼를 준비하는 단계;상기 패드 형성면의 반대쪽 표면에 DAF와 보호필름을 적층하는 단계;패드가 형성된 웨이퍼 표면에 포토레지스트막을 도포 및 스트리트를 따라 식각하는 단계;플라즈마 에칭을 통해 웨이퍼를 개별 다이로 분리하는 단계;남아있는 포토레지스트막과 스트리트에 대응되는 DAF 부분을 동시에 제거하는 단계;보호필름을 제거한 다이를 픽업하는 단계; 및와이어 본딩을 진행하여 패키징하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 다이 접착 패키징 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.