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수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 교대로 적층된 층간 절연막들 및 워드 라인들을 포함하는 반도체 구조체를 준비하는 단계; 상기 반도체 구조체에 상기 수직 방향으로 채널 홀들을 연장 형성하는 단계; 상기 채널 홀들이 수평 평면 상에서 서로 연결되도록 상기 반도체 구조체에 상기 수직 방향으로 기 설정된 값 이상의 너비를 갖는 적어도 하나의 수직 연결 트렌치를 연장 형성하는 단계; 상기 채널 홀들 내에 상기 수직 방향으로 ONO 패턴 및 수직 채널 패턴을 각각 포함하는 수직 채널 구조체들을 연장 형성하는 단계; 및 상기 적어도 하나의 수직 연결 트렌치 내에 상기 수직 방향으로 적어도 하나의 수직 연결 패턴을 연장 형성하는 단계를 포함하고, 상기 적어도 하나의 수직 연결 패턴을 연장 형성하는 단계는, 상기 ONO 패턴을 구성하는 터널 산화 패턴(Tunnel Oxide Pattern), 전하 저장 패턴(Nitride Pattern) 또는 블로킹 산화 패턴(Blocking Oxide Pattern) 중 기 설정된 값 이상의 두께를 갖는 고유전율(High-K) 물질로 형성되는 적어도 하나의 패턴으로 상기 적어도 하나의 수직 연결 패턴을 구성하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 교대로 적층된 층간 절연막들 및 희생층들을 포함하는 반도체 구조체를 준비하는 단계; 상기 반도체 구조체에 상기 수직 방향으로 채널 홀들을 연장 형성하는 단계; 상기 채널 홀들이 수평 평면 상에서 서로 연결되도록 상기 반도체 구조체에 상기 수직 방향으로 기 설정된 값 이상의 너비를 갖는 적어도 하나의 수직 연결 트렌치를 연장 형성하는 단계; 상기 채널 홀들 내에 상기 수직 방향으로 ONO 패턴 및 수직 채널 패턴을 각각 포함하는 수직 채널 구조체들을 연장 형성하는 단계; 상기 적어도 하나의 수직 연결 트렌치 내에 상기 수직 방향으로 적어도 하나의 수직 연결 패턴을 연장 형성하는 단계; 및 상기 반도체 구조체에서 상기 희생층들을 제거하여 상기 희생층들이 제거된 공간들에 워드 라인들을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 적어도 하나의 수직 연결 패턴을 연장 형성하는 단계는, 상기 ONO 패턴을 구성하는 터널 산화 패턴(Tunnel Oxide Pattern), 전하 저장 패턴(Nitride Pattern) 또는 블로킹 산화 패턴(Blocking Oxide Pattern) 중 기 설정된 값 이상의 두께를 갖는 고유전율(High-K) 물질로 형성되는 적어도 하나의 패턴으로 상기 적어도 하나의 수직 연결 패턴을 구성하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제1항 또는 제2항 중 어느 한 항에 있어서,상기 수직 채널 구조체들을 연장 형성하는 단계 및 상기 적어도 하나의 수직 연결 패턴을 연장 형성하는 단계는, 동일한 공정을 통해 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 교대로 적층된 층간 절연막들 및 희생층들을 포함하는 반도체 구조체를 준비하는 단계; 상기 반도체 구조체에 상기 수직 방향으로 채널 홀들을 연장 형성하는 단계; 상기 채널 홀들이 수평 평면 상에서 서로 연결되도록 상기 반도체 구조체에 상기 수직 방향으로 기 설정된 값 이상의 너비를 갖는 적어도 하나의 수직 연결 트렌치를 연장 형성하는 단계; 상기 채널 홀들 및 상기 적어도 하나의 수직 연결 트렌치 내에 희생막을 연장 형성하는 단계; 상기 희생막이 연장 형성된 상기 채널 홀들 내에 상기 수직 방향으로 ONO 패턴 및 수직 채널 패턴을 각각 포함하는 수직 채널 구조체들을 연장 형성하는 단계; 상기 희생막이 연장 형성된 상기 적어도 하나의 수직 연결 트렌치 내에 상기 수직 방향으로 적어도 하나의 수직 연결 패턴을 연장 형성하는 단계; 상기 반도체 구조체에서 상기 희생층들 및 상기 희생막을 제거하여 상기 희생층들 및 상기 희생막이 제거된 공간들에 워드 라인들을 형성하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 수직 채널 구조체들을 연장 형성하는 단계 및 상기 적어도 하나의 수직 연결 패턴을 연장 형성하는 단계는, 동일한 공정을 통해 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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