| 1 |
1
기판 상 수평 방향으로 연장 형성된 채 수직 방향으로 이격되며 적층된 워드 라인들; 및 상기 워드 라인들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴, 상기 수직 채널 패턴의 내측벽을 덮으며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 백 게이트 및 상기 수직 채널 패턴의 외측벽을 덮으며 형성되는 강유전체 기반의 데이터 저장 패턴을 포함하고, 상기 데이터 저장 패턴 및 상기 수직 채널 패턴은 상기 워드 라인들에 대응하는 메모리 셀들을 구성함-을 포함하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법에 있어서, 상기 워드 라인들 중 상기 프로그램 동작의 대상이 되는 대상 메모리 셀에 대응하는 선택된 워드 라인에 프로그램 전압을 인가하는 단계; 상기 워드 라인들 중 상기 선택된 워드 라인을 제외한 비선택된 워드 라인들 각각을 플로팅시키는 단계; 상기 수직 채널 구조체들 중 상기 대상 메모리 셀을 포함하는 선택된 수직 채널 구조체의 백 게이트에 패스 전압을 인가하는 단계; 및 상기 선택된 워드 라인에 프로그램 전압이 인가되고 상기 비선택된 워드 라인들 각각이 플로팅되며 상기 백 게이트에 패스 전압이 인가됨에 응답하여, 상기 대상 메모리 셀에 대한 상기 프로그램 동작을 수행하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 수직 채널 구조체들 중 상기 대상 메모리 셀을 포함하지 않는 비선택된 수직 채널 구조체의 비트 라인에 상기 비선택된 수직 채널 구조체의 수직 채널 패턴을 셀프 부스팅시키는 전압을 인가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 대상 메모리 셀을 포함하는 선택된 수직 채널 구조체의 수직 채널 패턴이 N 타입인 경우, 상기 선택된 워드 라인에 프로그램 전압을 인가하는 단계는, 양의 값의 프로그램 전압을 인가하는 단계인 것을 특징으로 하고, 상기 선택된 수직 채널 구조체의 백 게이트에 패스 전압을 인가하는 단계는, 양의 값의 패스 전압을 인가하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 대상 메모리 셀을 포함하는 선택된 수직 채널 구조체의 수직 채널 패턴이 P 타입인 경우, 상기 선택된 워드 라인에 프로그램 전압을 인가하는 단계는, 음의 값의 프로그램 전압을 인가하는 단계인 것을 특징으로 하고, 상기 선택된 수직 채널 구조체의 백 게이트에 패스 전압을 인가하는 단계는, 음의 값의 패스 전압을 인가하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
|
| 5 |
5
기판 상 수평 방향으로 연장 형성된 채 수직 방향으로 이격되며 적층된 워드 라인들; 및 상기 워드 라인들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴, 상기 수직 채널 패턴의 내측벽을 덮으며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 백 게이트 및 상기 수직 채널 패턴의 외측벽을 덮으며 형성되는 강유전체 기반의 데이터 저장 패턴을 포함하고, 상기 데이터 저장 패턴 및 상기 수직 채널 패턴은 상기 워드 라인들에 대응하는 메모리 셀들을 구성함-을 포함하는 3차원 플래시 메모리의 소거 동작 방법에 있어서, 상기 수직 채널 구조체들 중 소거 동작의 대상이 되는 블록에 포함되는 수직 채널 구조체들 각각의 비트 라인에 SSL(String Selection Line)과의 GIDL(Gate Induced Drain Leakage)을 발생시키기 위한 소거 전압을 인가하는 단계; 상기 워드 라인들 각각에 접지 전압을 인가하는 단계; 상기 블록에 포함되는 수직 채널 구조체들 각각의 백 게이트를 플로팅시키는 단계; 및 상기 블록에 포함되는 수직 채널 구조체들 각각에서 GIDL이 발생됨에 응답하여, 상기 블록에 포함되는 수직 채널 구조체들 각각의 메모리 셀들에 대한 소거 동작을 수행하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 소거 동작 방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 블록에 포함되는 수직 채널 구조체들 각각의 수직 채널 패턴이 N 타입인 경우, 상기 소거 전압을 인가하는 단계는, 양의 값의 소거 전압을 인가하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 소거 동작 방법
|
| 7 |
7
제5항에 있어서,상기 블록에 포함되는 수직 채널 구조체들 각각의 수직 채널 패턴이 P 타입인 경우, 상기 소거 전압을 인가하는 단계는, 음의 값의 소거 전압을 인가하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 소거 동작 방법
|
