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기판 상 수평 방향으로 연장 형성된 채 수직 방향으로 이격되며 적층된 워드 라인들; 및 상기 워드 라인들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴 및 상기 수직 채널 패턴의 외측벽을 덮으며 형성되는 강유전체 기반의 데이터 저장 패턴을 포함하고, 상기 데이터 저장 패턴 및 상기 수직 채널 패턴은 상기 워드 라인들에 대응하는 메모리 셀들을 구성함-을 포함하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법에 있어서, ISPP(Incremental Step Pulse Programming) 방식을 적용하여, 상기 워드 라인들 중 상기 프로그램 동작의 대상이 되는 대상 메모리 셀에 대응하는 선택된 워드 라인에 인가될 프로그램 전압의 값을 조절하는 단계; 상기 조절된 값의 프로그램 전압을 상기 선택된 워드 라인에 인가하는 단계; 상기 워드 라인들 중 상기 선택된 워드 라인을 제외한 비선택된 워드 라인들 각각에 패스 전압을 인가하는 단계; 및 상기 조절된 값의 프로그램 전압이 상기 선택된 워드 라인에 인가되고 상기 패스 전압이 상기 비선택된 워드 라인들 각각에 인가됨에 응답하여, 상기 대상 메모리 셀에 대한 상기 프로그램 동작을 수행하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 조절하는 단계는, 상기 ISPP 방식에서 전압 펄스가 증가되는 슬로프(Slope)에 기초하여, 상기 워드 라인들 중 상기 프로그램 동작의 대상이 되는 대상 메모리 셀에 대응하는 선택된 워드 라인에 인가될 프로그램 전압의 값을 조절하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
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제2항에 있어서,상기 조절하는 단계는, 상기 프로그램 전압의 값을 복수의 값들로 조절함으로써, 상기 3차원 플래시 메모리의 다치화를 구현하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 대상 메모리 셀을 포함하는 선택된 수직 채널 구조체의 수직 채널 패턴이 N 타입인 경우, 상기 조절하는 단계는, 상기 프로그램 전압의 값을 양의 값으로 조절하는 단계인 것을 특징으로 하고, 상기 패스 전압을 인가하는 단계는, 양의 값의 패스 전압을 인가하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 대상 메모리 셀을 포함하는 선택된 수직 채널 구조체의 수직 채널 패턴이 P 타입인 경우, 상기 조절하는 단계는, 상기 프로그램 전압의 값을 음의 값으로 조절하는 단계인 것을 특징으로 하고, 상기 패스 전압을 인가하는 단계는, 음의 값의 패스 전압을 인가하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 패스 전압을 인가하는 단계는, 상기 대상 메모리 셀이 상기 프로그램 동작으로 인해 갖게 되는 프로그램 상태의 안정성에 기초하여 상기 패스 전압의 값을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
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